[发明专利]一种非易失存储器擦除处理方法及装置在审
| 申请号： | 201910399725.5 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111951862A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张晓伟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 擦除 处理 方法 装置 | ||
1.一种非易失存储器擦除处理方法，其特征在于，所述方法包括：
对待擦除存储块进行擦除状态验证；
在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述待擦除存储块处于未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲，包括：
对所述待擦除存储块施加第一擦除脉冲；
验证所述待擦除存储块的擦除状态；
在所述待擦除存储块的擦除状态为未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加第二擦除脉冲，直到所述待擦除存储块为已擦除状态；其中，所述第二擦除脉冲为：所述第一擦除脉冲与预设电压增量的和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述已擦除状态为：所述待擦除存储块中的各存储单元都处于高电平状态。
5.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，所述未擦除状态为：所述待擦除存储块的各存储单元中，存在处于低电平状态的存储单元。
6.一种非易失存储器擦除处理装置，其特征在于，所述装置包括：
验证模块，用于对待擦除存储块进行擦除状态验证；
选择模块，用于在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：
擦除模块，用于在所述待擦除存储块处于未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述擦除模块包括：
第一擦除脉冲施加子模块，用于对所述待擦除存储块施加第一擦除脉冲；
验证子模块，用于验证所述待擦除存储块的擦除状态；
第二擦除脉冲施加子模块，用于在所述待擦除存储块的擦除状态为未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加第二擦除脉冲，直到所述待擦除存储块为已擦除状态；其中，所述第二擦除脉冲为：所述第一擦除脉冲与预设电压增量的和。
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述已擦除状态为：所述待擦除存储块中的各存储单元都处于高电平状态。
10.根据权利要求7至9任一项所述的装置，其特征在于，所述未擦除状态为：所述待擦除存储块的各存储单元中，存在处于低电平状态的存储单元。
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