[发明专利]一种非易失存储器擦除处理方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器擦除处理方法及装置，该方法包括：对待擦除存储块进行擦除状态验证；在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。本发明实施例在对非易失存储中的待擦除存储块进行擦除操作时，首先对待擦除存储块进行擦除状态验证，在待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲，从而使得处于已擦除状态的待擦除存储块不需要承受没有意义的擦除脉冲，从而可以延长非易失存储器的寿命。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器擦除处理方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件得到较多发展。示例的，以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND闪存通过对Memorycell(存储单元)进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。在非易失存储器进行擦除操作时，通常以Block(存储块)为单位进行擦除

现有技术中，在进行擦除操作时，非易失存储器首先向待擦除存储块施加擦除脉冲，然后才验证该待擦除存储块是否完成擦除操作。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：如果该待擦除存储块本身已经处于已擦除状态，则现有技术的先施加擦除脉冲的方式，会导致该待擦除存储块接收一次没有意义的擦除脉冲，而擦除脉冲会对待擦除存储块的寿命造成影响，导致非易失存储器的使用寿命较短。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器擦除处理方法及装置，以延长非易失存储器的使用寿命。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器擦除处理方法，所述方法包括：

对待擦除存储块进行擦除状态验证；

在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。

可选的，还包括：

在所述待擦除存储块处于未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。

可选的，所述对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲，包括：

对所述待擦除存储块施加第一擦除脉冲；

验证所述待擦除存储块的擦除状态；

在所述待擦除存储块的擦除状态为未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加第二擦除脉冲，直到所述待擦除存储块为已擦除状态；其中，所述第二擦除脉冲为：所述第一擦除脉冲与预设电压增量的和。

可选的，所述已擦除状态为：所述待擦除存储块中的各存储单元都处于高电平状态。

可选的，所述未擦除状态为：所述待擦除存储块的各存储单元中，存在处于低电平状态的存储单元。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器擦除处理装置，所述装置包括：

验证模块，用于对待擦除存储块进行擦除状态验证；

选择模块，用于在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。

可选的，还包括：擦除模块，用于在所述待擦除存储块处于未擦除状态的情况下，对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。

可选的，所述擦除模块包括：

第一擦除脉冲施加子模块，用于对所述待擦除存储块施加第一擦除脉冲；

验证子模块，用于验证所述待擦除存储块的擦除状态；