[发明专利]一种渐晕图像校正的方法、装置、电子设备和存储介质有效

专利信息
申请号: 201910400402.3 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110111284B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 刘凯;周思羽;龚俊;胡子阳;许斌 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: G06T5/00 分类号: G06T5/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 宋朋飞
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 图像 校正 方法 装置 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种渐晕图像校正的方法,其特征在于,包括:

获取待校正的渐晕图像;

基于所述渐晕图像与校正图像的换算公式计算在满足预设约束条件下的不同校正参数对应下的校正图像的对数强度熵;

从计算出的校正图像的对数强度熵中选取不小于预设阈值且最小的对数强度熵,作为目标对数强度熵;

将基于所述目标对数强度熵对应的校正参数求得的校正图像作为目标校正图像;

其中,所述预设阈值通过如下步骤得到,包括:对所述渐晕图像进行卷积处理,得到模拟参数;对所述渐晕图像与所述模拟参数作商,得到模拟原图像;将所述模拟原图像的对数强度熵,作为预设阈值。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述渐晕图像与校正图像的换算公式为Ic=Ivga,b,c(r);其中ga,b,c(r)=1+ar2+br4+cr6,IC表示所述校正图像,IV表示所述渐晕图像,r为所述渐晕图像中某一像素点到所述渐晕图像的光学中心的径向距离,(ic,jc)为所述渐晕图像的光学中心,(t1,t2)为离所述光学中心最远的所述渐晕图像的顶点;a,b,c为校正参数,其中,ga,b,c(r)在区间(0,1)上递增。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设约束条件包括以下约束条件中任意一种条件:

第一种约束条件:a0∧b=c=0;

第二种约束条件:a≥0∧b0∧c=0;

第三种约束条件:c=0∧b0∧-a≤2b;

第四种约束条件:c0∧b23ac;

第五种约束条件:c0∧b2=3ac∧b≥0;

第六种约束条件:c0∧b2=3ac∧-b≥3c;

第七种约束条件:c0∧b23ac∧q+≤0;

第八种约束条件:c0∧b23ac∧q-≥1;

第九种约束条件:c0∧b23ac∧q+≥1∧q-≤0;

其中,

4.一种渐晕图像校正装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于获取待校正的渐晕图像;

计算模块,用于基于所述渐晕图像与校正图像的换算公式计算在满足预设约束条件下的不同校正参数对应下的校正图像的对数强度熵;

选取模块,用于从计算出的校正图像的对数强度熵中选取不小于预设阈值且最小的对数强度熵,作为目标对数强度熵;

求取模块,用于将基于所述目标对数强度熵对应的校正参数求得的校正图像作为目标校正图像;

其中,所述选取模块还用于对所述渐晕图像进行卷积处理,得到模拟参数;对所述渐晕图像与所述模拟参数作商,得到模拟原图像;将所述模拟原图像的对数强度熵,作为预设阈值。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述计算模块中的所述渐晕图像与校正图像的换算公式为Ic=Ivga,b,c(r);其中ga,b,c(r)=1+ar2+br4+cr6,IC表示所述校正图像,IV表示所述渐晕图像,r为所述渐晕图像中某一像素点到所述渐晕图像的光学中心的径向距离,(ic,jc)为所述渐晕图像的光学中心,(t1,t2)为离所述光学中心最远的所述渐晕图像的顶点;a,b,c为校正参数,其中,ga,b,c(r)在区间(0,1)上递增。

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