[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构至少包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；

形成电流扩展层于所述外延结构上，以及移除部分所述外延结构，形成凹槽；所述凹槽暴露出第二半导体层；

移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露出所述衬底；

形成钝化层于所述外延结构，所述凹槽暴露的第二半导体层以及所述隔离槽暴露的衬底上；

形成金属电极于所述外延结构上；

其中，形成所述隔离槽的步骤包括：

形成图案化光阻层于所述外延结构上；

移除部分所述外延结构，形成所述隔离槽；

其中，通过至少一次曝光形成所述图案化光阻层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述电流阻挡层的厚度在1000-4800埃。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：

形成电流扩展层于所述外延结构上；

移除部分所述电流扩展层，形成图案化电流扩展层；

移除部分所述外延结构，形成凹槽；以及

移除部分所述电流扩展层，形成一间隔区于所述图案化电流扩展层与所述凹槽之间。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述凹槽的深度为1-2微米，所述间隔区为1-2微米。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：通过多次曝光步骤形成所述隔离槽。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述隔离槽的斜面角度控制在30-60度。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：通过分步沉积形成所述钝化层。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述金属电极包括第一金属电极，第二金属电极，第三金属电极。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：所述第二金属电极位于所述隔离槽上。

10.一种发光半导体芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延结构，设置在所述衬底上，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

电流阻挡层，设置在所述外延结构上；

电流扩展层，设置在所述电流阻挡层上；

凹槽，设置在所述衬底上，所述凹槽暴露所述第二半导体层，所述凹槽与所述电流扩展层之间包括一间隔平台；

隔离槽，设置在所述衬底上，所述隔离槽暴露所述衬底；

电极，设置在所述外延结构上，所述电极包括第一金属电极，第二金属电极，第三金属电极，所述第二金属电极位于所述隔离槽上。