[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

说明书

本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；形成电流阻挡层于所述外延结构上；形成电流扩展层于所述外延结构上，以及移除部分所述外延结构，形成凹槽；所述凹槽暴露出第二半导体层；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露出所述衬底；形成钝化层于所述外延结构，所述凹槽暴露的第二半导体层以及所述隔离槽暴露的衬底上；形成金属电极于所述外延结构上；其中，形成所述隔离槽的步骤包括：形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成所述隔离槽；其中，通过至少一次曝光形成所述图案化光阻层。通过本发明制造的发光二极管芯片发光效率高，且能够在高压下工作。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管(简称LED)是一种能够将电能有效转化为光能的半导体器件，是目前最具前景之一的绿色光源，已经广泛应用于照明和背光等领域。随着近些年来LED制造技术的成熟，其应用范围也越来越广泛。

随着半导体集成技术的高速发展，一种称为高压芯片的LED结构应运而生，此种结构的LED一般是在发光半导体层形成后，通过光刻刻蚀工艺在所述发光半导体层上形成隔离槽，再在隔离槽内填充绝缘材料，最后在各绝缘分离的发光半导体层上制作电极并形成串联结构；此种结构的LED能够满足现阶段某些照明领域对LED发光亮度之需求，然而要同时满足人们对发光均匀性以及器件良率和可靠性的需求，赢得人们对LED照明光源的信赖和忠诚，将阻挡层技术和/或扩展辅助层技术结合于高压芯片技术中势在必行。由于其高压产品生产流程及工艺的特殊性，导致其制造良率低、一致性差。因此，开发一种制造流程简单、生产良率高的高压LED芯片制造方法具有重大意义。

发明内容

鉴于现有技术的问题，本发明提出一种发光二极管芯片的制造方法，以提高高压发光二极管芯片的生产良率。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种发光二极管芯片的制造方法，至少包括以下步骤：

提供一衬底；

形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构至少包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；

形成电流扩展层于所述外延结构上，以及移除部分所述外延结构，形成凹槽；所述凹槽暴露出第二半导体层；

移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露出所述衬底；

形成钝化层于所述外延结构，所述凹槽暴露的第二半导体层以及所述隔离槽暴露的衬底上；

形成金属电极于所述外延结构上；

其中，形成所述隔离槽的步骤包括：

形成图案化光阻层于所述外延结构上；

移除部分所述外延结构，形成所述隔离槽；

其中，通过至少一次曝光形成所述图案化光阻层。

在一实施例中，所述第二半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第二半导体层上，所述第一半导体层位于所述发光层上，所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第二半导体层包括N型半导体层。

在一实施例中，所述电流阻挡层位于所述第一半导体层上，所述电流阻挡层的厚度在1000-4800埃。

在一实施例中，形成所述凹槽的步骤包括：

形成电流扩展层于所述外延结构上；

移除部分所述电流扩展层，形成图案化电流扩展层；

移除部分所述外延结构，形成凹槽；以及