[发明专利]存储器结构

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，该存储器结构包括：

基底；

第一晶体管与第二晶体管；以及

沟槽式电容器，设置在所述基底中，且连接于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述沟槽式电容器完全位于所述基底中。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

4.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：

电容器，位于所述沟槽式电容器上方，且电连接于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述电容器与所述沟槽式电容器并联。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述基底具有沟槽，且所述沟槽式电容器包括：

第一电极，设置在所述沟槽中；

第二电极，设置在所述沟槽中，且位于所述第一电极上；

第一介电层，位于所述第一电极与所述基底之间；以及

第二介电层，位于所述第二电极与所述第一电极之间以及所述第二电极与所述基底之间。

6.如权利要求5所述的存储器结构，其中在所述第一电极的上部与所述基底之间不具有所述第一介电层。

7.如权利要求6所述的存储器结构，还包括：

第一掺杂区，位于所述沟槽的一侧的所述基底中，且连接于所述第一电极的上部；以及

第二掺杂区，位于所述沟槽的另一侧的所述基底中，且连接于所述第一电极的上部。

8.如权利要求7所述的存储器结构，其中

所述第一晶体管，包括：

第一栅极，设置在所述基底上，且绝缘于所述基底；以及

第三掺杂区与第四掺杂区，位于所述第一栅极的两侧的所述基底中，其中所述第四掺杂区连接于所述第一掺杂区，且

所述第二晶体管，包括：

第二栅极，设置在所述基底上，且绝缘于所述基底；以及

第五掺杂区与第六掺杂区，位于所述第二栅极的两侧的所述基底中，其中所述第五掺杂区连接于所述第二掺杂区。

9.如权利要求8所述的存储器结构，其中

所述第一晶体管还包括：

第一阱区，位于所述基底中，其中所述第三掺杂区与所述第四掺杂区位于所述第一阱区中，且

所述第二晶体管还包括：

第二阱区，位于所述基底中，其中所述第五掺杂区与所述第六掺杂区位于所述第二阱区中。

10.如权利要求8所述的存储器结构，还包括：

电容器，位于所述沟槽式电容器上方，且包括：

第三电极，电连接至所述第四掺杂区与所述第五掺杂区；

第四电极，设置在所述第三电极上；以及

绝缘层，设置在所述第三电极与所述第四电极之间。

11.如权利要求10所述的存储器结构，其中所述第一掺杂区与所述第四掺杂区为不同导电型，且所述第三电极同时电连接于所述第一掺杂区与所述第四掺杂区。

12.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述基底具有沟槽，且所述沟槽式电容器包括：

第一电极，设置在所述沟槽周围的所述基底中；

第二电极，设置在所述沟槽中；以及

介电结构，位于所述第二电极与所述第一电极之间以及所述第二电极与所述基底之间。

13.如权利要求12所述的存储器结构，其中所述第一电极包括掺杂区。

14.如权利要求12所述的存储器结构，其中在所述第二电极的上部与所述基底之间不具有所述介电结构。