[发明专利]存储器结构

说明书

本发明公开一种存储器结构，其包括基底、第一晶体管、第二晶体管与沟槽式电容器。沟槽式电容器设置在基底中，且连接于第一晶体管与第二晶体管之间。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种存储器结构。

背景技术

目前发展出一种存储器结构，其包括彼此耦接晶体管与电容器。在此种存储器结构中，使用电容器作为存储组件。因此，如何增加电容器的电容以提升存储器元件的电性效能为目前业界持续努力的目标。

发明内容

本发明提供一种存储器结构，其可有效地增加电容器的电容(capacitance)，进而可提升存储器元件的电性效能。

本发明提出一种存储器结构，包括基底、第一晶体管、第二晶体管与沟槽式电容器。沟槽式电容器设置在基底中，且连接于第一晶体管与第二晶体管之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，沟槽式电容器可完全位于基底中。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一晶体管与第二晶体管可分别为P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，更可包括电容器。电容器位于沟槽式电容器上方，且电连接于第一晶体管与第二晶体管之间。电容器与沟槽式电容器并联。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，基底可具有沟槽。沟槽式电容器可包括第一电极、第二电极、第一介电层与第二介电层。第一电极设置在沟槽中。第二电极设置在沟槽中，且位于第一电极上。第一介电层位于第一电极与基底之间。第二介电层位于第二电极与第一电极之间以及第二电极与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，在第一电极的上部与基底之间可不具有第一介电层。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，还可包括第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区位于沟槽的一侧的基底中，且连接于第一电极的上部。第二掺杂区位于沟槽的另一侧的基底中，且连接于第一电极的上部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一晶体管可包括第一栅极、第三掺杂区与第四掺杂区。第一栅极设置在基底上，且绝缘于基底。第三掺杂区与第四掺杂区位于第一栅极的两侧的基底中。第四掺杂区连接于第一掺杂区。第二晶体管可包括第二栅极、第五掺杂区与第六掺杂区。第二栅极设置在基底上，且绝缘于基底。第五掺杂区与第六掺杂区位于第二栅极的两侧的基底中。第五掺杂区连接于第二掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一晶体管还可包括第一阱区。第一阱区位于基底中。第三掺杂区与第四掺杂区位于第一阱区中。第二晶体管还可包括第二阱区。第二阱区位于基底中。第五掺杂区与第六掺杂区位于第二阱区中。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，还可包括电容器。电容器位于沟槽式电容器上方。电容器可包括第三电极、第四电极与绝缘层。第三电极电连接至第四掺杂区与第五掺杂区。第四电极设置在第三电极上。绝缘层设置在第三电极与第四电极之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一掺杂区与第四掺杂区可为不同导电型。第三电极可同时电连接于第一掺杂区与第四掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，基底可具有沟槽。沟槽式电容器可包括第一电极、第二电极与介电结构。第一电极设置在沟槽周围的基底中。第二电极设置在沟槽中。介电结构位于第二电极与第一电极之间以及第二电极与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一电极例如是掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第二电极的上部与基底之间可不具有介电结构。