[发明专利]一种非易失存储器写处理方法及装置有效
| 申请号： | 201910402323.6 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111951860B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张晓伟;同亚娜 | 申请（专利权）人： | 兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 处理 方法 装置 | ||
1.一种非易失存储器写处理方法，其特征在于，所述方法包括：
在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；
确定所述目标编程字线的编程电压补偿量；
对所述目标编程字线施加第一编程电压；所述第一编程电压为：预设编程电压与所述编程电压补偿量的差；
在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和；
其中，所述在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线之前，还包括：
确定所述待处理存储块中，每个字线对应的编程电压补偿量，其中，边沿字线的所述编程电压补偿量高于中间字线的所述编程电压补偿量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和之后，还包括：
在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第三编程电压；所述第三编程电压为：所述第二编程电压与第一预设电压增量的和。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和之后，还包括：
在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第四编程电压；所述第四编程电压为：所述第二编程电压与第二预设电压增量的和，其中，所述第一预设电压增量与所述第二预设电压增量不相等。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述待处理存储块包括：64个字线WL，所述64个字线为从WL0到WL63排序的字线。
5.一种非易失存储器写处理装置，其特征在于，所述装置包括：
目标编程字线确定模块，用于在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；
编程电压补偿量确定模块，用于确定所述目标编程字线的编程电压补偿量；
第一电压施加模块，用于对所述目标编程字线施加第一编程电压；所述第一编程电压为：预设编程电压与所述编程电压补偿量的差；
第二电压施加模块，用于在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和；
还包括：
确定模块，用于确定所述待处理存储块中，每个字线对应的编程电压补偿量，其中，边沿字线的所述编程电压补偿量高于中间字线的所述编程电压补偿量。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：
第三电压施加模块，用于在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第三编程电压；所述第三编程电压为：所述第二编程电压与第一预设电压增量的和。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：
第四电压施加模块，用于在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第四编程电压；所述第四编程电压为：所述第二编程电压与第二预设电压增量的和，其中，所述第一预设电压增量与所述第二预设电压增量不相等。
8.根据权利要求5-7任一所述的装置，其特征在于，所述待处理存储块包括：64个字线WL，所述64个字线为从WL0到WL63排序的字线。
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