[发明专利]多模块集成内插器和由此形成的半导体器件

说明书

本发明题为“多模块集成内插器和由此形成的半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，包括用于实现所述器件内的一个或多个半导体管芯与上面安装有所述半导体器件的主机设备之间的通信的多模块内插器。所述多模块内插器可以在所述晶圆级形成，并且提供到所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径以及自所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径。另外，所述多模块内插器允许在所述晶圆级形成任何各种不同的半导体封装构型，包括例如引线键合封装、倒装芯片封装和硅通孔(TSV)封装。

背景技术

便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。

虽然已知许多不同的封装配置，但是闪存半导体产品通常可以被制造为系统级封装(SIP)或多芯片模块(MCM)，其中多个半导体管芯被安装并互连到衬底的上表面。衬底通常可以包括刚性的电介质基部，其具有在一侧或两侧上蚀刻的导电层。焊球通常安装在形成在衬底下表面上的接触焊盘上，以允许衬底焊接到主机设备，诸如印刷电路板。一旦安装，信号可以经由衬底在半导体管芯和主机设备之间传输。

一直存在在较小的整体形状因数半导体封装中提供更大的存储容量的需求。探索的一个领域是提供没有衬底的半导体封装，但是迄今为止，已经证明提供不具有衬底的多芯片半导体封装的此类努力是困难的。

附图说明

图1是根据本发明技术的实施方案的用于形成半导体器件的流程图。

图2是根据本发明技术的实施方案的包括多模块内插器的半导体晶圆的顶视图。

图3是根据本发明技术的实施方案的包括表面接合焊盘的第一构型的多模块内插器的顶视图。

图4是根据本发明技术的实施方案的包括表面接合焊盘的第二构型的多模块内插器的顶视图。

图5是根据本发明技术的实施方案的包括表面接合焊盘的第三构型的多模块内插器的顶视图。

图6是根据本发明技术的实施方案的在第一制造阶段包括多个多模块内插器的晶圆的横截面边缘视图。

图7是根据本发明技术的实施方案的在第二制造阶段包括多个多模块内插器和半导体管芯的晶圆的横截面边缘视图。

图8是根据本发明技术的实施方案的在第三制造阶段包括多个多模块内插器和封装的半导体管芯的晶圆的横截面边缘视图。

图9是根据本发明技术的实施方案的在第四制造阶段包括多个多模块内插器和封装的半导体管芯的减薄晶圆的横截面边缘视图。

图10是根据本发明技术的实施方案的在第五制造阶段包括多个多模块内插器、封装的半导体管芯和重新分布层的减薄晶圆的横截面边缘视图。

图11是根据本发明技术的实施方案的包括多模块内插器的多个完成的半导体器件的横截面边缘视图。

图12是根据本发明技术的实施方案的包括多模块内插器的半导体器件的底部透视图。

具体实施方式

现在将参考附图来描述本发明的技术，在实施方案中，这些附图涉及一种包括多模块内插器的半导体器件，该多模块内插器用于实现器件内的一个或多个半导体管芯与安装有半导体器件的主机设备之间的通信。多模块内插器可以在晶圆级形成，并且提供到器件中的一个或多个管芯的扇出信号路径以及自器件中的一个或多个管芯的扇出信号路径。另外，多模块内插器允许在晶圆级形成任何各种不同的半导体封装构型，包括例如引线键合封装、倒装芯片封装和硅通孔(TSV)封装。