[发明专利]测试样品及测试系统

权利要求书

1.一种测试样品，其特征在于，包括：

衬底；

待测试层，设置于所述衬底一侧，所述待测试层包括半导体层、阻挡层和铜层，所述阻挡层设置于所述半导体层与所述铜层之间；

第一电极层，设置于所述半导体层与衬底之间；

第二电极层，设置于所述半导体层远离所述衬底的方向上；

其中，所述第一电极层与所述第二电极层分别形成电容的第一极板和第二极板，所述待测试层形成电容的介质；所述第一电极层与所述半导体层之间设有缓冲层，所述缓冲层用于防止所述第一电极层扩散至半导体层；所述半导体层设置于所述缓冲层远离所述衬底的方向上，所述阻挡层设置于所述半导体层远离所述缓冲层的方向上，所述铜层设置于所述阻挡层远离所述半导体层的方向上。

2.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述第二电极层设置于所述铜层远离所述阻挡层的方向上。

3.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述第二电极层设置于所述半导体层与所述阻挡层之间。

4.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述第二电极层与阻挡层同层设置。

5.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述阻挡层延伸形成所述第二电极层。

6.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述铜层形成所述第二电极层。

7.如权利要求1所述的测试样品，其特征在于，所述第一电极层的材料包括铜，所述缓冲层的材料包括氮化硅。

8.一种测试系统，其特征在于，包括：

多个测试样品，所述测试样品包括权利要求1至7任一所述的测试样品，所述测试样品中的阻挡层的材料包括钼、钛、钨、钼钛合金中的一种；

恶化构件，用于对测试样品进行恶化处理；

测试构件，所述测试构件用于测试各测试样品恶化处理前的第一电容和恶化处理后的第二电容；

数据处理构件，用于根据各测试样品的第一电容和第二电容确定各测试样品中阻挡层对铜层扩散的阻挡能力。