[发明专利]测试样品及测试系统

说明书

本发明提供一种测试样品及测试系统，该测试样品包括衬底、待测试层、第一电极层和第二电极层，所述待测试层设置于所述衬底一侧，所述待测试层包括半导体层、阻挡层和铜层，所述阻挡层设置于所述半导体层与所述铜层之间，所述第一电极层设置于所述半导体层与衬底之间，所述第二电极层设置于所述半导体层远离所述衬底的方向上，其中，所述第一电极层与所述第二电极层分别形成电容的第一极板和第二极板，所述待测试层形成电容的介质；通过提供一种测试样品，在半导体层的两侧形成电容的第一极板和第二极板，可通过测试电容的变化，从而评估阻挡层对铜的阻挡能力，解决了现有评估阻挡层对铜扩散的阻挡能力的方法存在效率较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种测试样品及测试系统。

背景技术

现有显示器为了提高显示效果，会采用铜取代铝作为导电金属材料，但铜膜和基底的附着力较差且扩散系数较高，需在其下方沉积一层阻挡层，增加铜膜的附着力并阻挡其向半导体层扩散。

现有评估阻挡层对铜扩散的阻挡能力的方法是将显示器处理后，再切片进行TEM(透射电子显微镜)及SIMS(多元空间数据无缝集成)测试铜扩散深度及分布，这种方式效率低、周期长，且很难直接表征对器件的影响。

所以，现有评估阻挡层对铜扩散的阻挡能力的方法存在效率较低的技术问题。

发明内容

本发明提供一种测试样品及测试系统，用于解决现有评估阻挡层对铜扩散的阻挡能力的方法存在效率较低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种测试样品，该测试样品包括：

衬底；

待测试层，设置于所述衬底一侧，所述待测试层包括半导体层、阻挡层和铜层，所述阻挡层设置于所述半导体层与所述铜层之间；

第一电极层，设置于所述半导体层与衬底之间；

第二电极层，设置于所述半导体层远离所述衬底的方向上；

其中，所述第一电极层与所述第二电极层分别形成电容的第一极板和第二极板，所述待测试层形成电容的介质。

在本发明提供的测试样品中，所述第二电极层设置于所述铜层远离所述阻挡层的方向上。

在本发明提供的测试样品中，所述第二电极层设置于所述半导体层与所述阻挡层之间。

在本发明提供的测试样品中，所述第二电极层与阻挡层同层设置。

在本发明提供的测试样品中，所述阻挡层延伸形成所述第二电极层。

在本发明提供的测试样品中，所述铜层形成所述第二电极层。

在本发明提供的测试样品中，所述第一电极层与所述半导体层之间设置有缓冲层。

在本发明提供的测试样品中，所述第一电极层的材料包括铜，所述缓冲层的材料包括氮化硅。

在本发明提供的测试样品中，所述半导体层设置于所述缓冲层远离所述衬底的方向上，所述阻挡层设置于所述半导体层远离所述缓冲层的方向上，所述铜层设置于所述阻挡层远离所述半导体层的方向上。

同时，本发明提供一种测试系统，该测试系统包括：

多个测试样品，所述测试样品包括上述任一所述的测试样品，所述测试样品中的阻挡层的材料包括钼、钛、钨、钼钛合金中的一种；

恶化构件，用于对测试样品进行恶化处理；

测试构件，所述测试构件用于测试各测试样品恶化处理前的第一电容和恶化处理后的第二电容；