[发明专利]半导体晶圆测试结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆测试结构，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的第一器件层，所述第一器件层内具有沿第一方向排布的若干第一衬垫和若干第一测试单元，每个第一测试单元与两个不同的第一衬垫电连接，每个第一衬垫与两个不同的第一测试单元电连接；

位于第一器件层上的第二器件层，所述第二器件层内具有沿第二方向排布的若干第二衬垫和若干第二测试单元，所述第二方向与第一方向不同，每个第二测试单元与两个不同的第二衬垫电连接，每个第二衬垫与两个不同的第二测试单元电连接；

位于第二器件层内的若干第三衬垫，所述第三衬垫沿第一方向排布，所述第三衬垫与第一衬垫一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，还包括：位于第二器件层上的第三器件层，所述第三器件层内具有沿第三方向排布的若干第四衬垫和若干第三测试单元，所述第三方向与第一方向不同，且所述第三方向与第二方向不同，每个第三测试单元与两个不同的第四衬垫电连接，每个第四衬垫与两个不同的第三测试单元电连接，所述第三器件层内还具有第五衬垫和第六衬垫，所述第四衬垫与第二衬垫连接，所述第六衬垫与第一衬垫连接。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第四衬垫在第一器件层上的投影为第三投影，所述第五衬垫在第一器件层上的投影为第四投影，所述第六衬垫在第一器件层上的投影为第五投影，所述第三投影、第四投影和第五投影部分重叠或全部重叠。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第三投影与第四投影部分重叠或者全部重叠、所述第四投影与第五投影部分重叠或者全部重叠、所述第三投影与第五投影部分重叠或者全部重叠或者所述第三投影、第四投影和第五投影重叠。

5.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第二衬垫在第一器件层上的投影为第一投影，所述第三衬垫在第一器件层上的投影为第二投影，所述第一投影和第二投影重叠。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第一投影和第一衬垫重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第二衬垫和第一衬垫通过插塞电连接。

8.根据权利要求6所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，在第一方向上，一个第一测试单元位于相邻两个第一衬垫之间。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，在所述第一方向上，一个第一测试单元与相邻的两个第一衬垫电连接，且所述第一衬垫与相邻的一个第一测试单元或者相邻的两个第一测试单元电连接。

10.根据权利要求7或8所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，在第二方向上，一个第二测试单元位于相邻两个第二衬垫之间。

11.根据权利要求10所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，在所述第二方向上，一个第二测试单元与相邻的两个第二衬垫电连接，且所述第二衬垫与相邻的一个第二测试单元或者相邻的两个第二测试单元电连接。

12.根据权利要求1所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第二测试单元位于第一测试单元垂直于基底表面的方向上的上方，且所述第二测试单元在第一器件层上的投影与第一测试单元在第一器件层上的位置重叠。

13.根据权利要求1所述的半导体晶圆测试结构，其特征在于，所述第一器件层内的若干第一衬垫呈阵列排布，所述若干第一衬垫形成为第一衬垫阵列，所述第一衬垫阵列包括：N行×M列的若干第一衬垫，M为大于等于2的整数，N为大于等于2的整数。