[发明专利]驱动过流检测电路有效
| 申请号： | 201910407143.7 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110031671B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 关硕;张旭;陈光胜 | 申请（专利权）人： | 上海东软载波微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李笑笑;吴敏 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 检测 电路 | ||
1.一种驱动过流检测电路，其特征在于，包括：驱动管、第一NMOS管、基准电流源、比较电路以及第一阻抗器件，其中：
所述基准电流源，输出端与所述第一阻抗器件的第一端以及第一NMOS管的漏极耦接，适于生成基准电流并输出；
所述第一阻抗器件的第一端与所述比较电路的第一输入端耦接，第二端与所述比较电路的第二输入端耦接；
所述比较电路，适于将所述第一输入端输入的电流与所述第二输入端输入的电流进行比较，并输出比较结果；当所述第二输入端输入的电流大于所述第一输入端输入的电流时，所述比较结果为判定所述驱动管过流；
所述驱动管的栅极输入控制信号，漏极与所述第一阻抗器件的第二端、所述比较电路的第二输入端以及驱动负载耦接，源极与地耦接；
所述第一NMOS管的漏极与所述比较电路的第一输入端、所述第一阻抗器件的第一端耦接，栅极输入所述控制信号，源极与地耦接。
2.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第一阻抗器件为电阻。
3.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第一阻抗器件为第二NMOS管；所述第二NMOS管的源极为所述第一阻抗器件的第一端，所述第二NMOS管的漏极为所述第一阻抗器件的第二端，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS的栅极耦接。
4.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，还包括：第二阻抗器件以及第三阻抗器件，其中：
所述第二阻抗器件耦接在所述第一阻抗器件的第一端与所述基准电流源的输出端之间；
所述第三阻抗器件耦接在所述第一阻抗器件的第二端与所述驱动管的漏极之间。
5.如权利要求4所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第二阻抗器件为第三NMOS管；所述第三NMOS管的源极为所述第二阻抗器件的第一端，所述第三NMOS管的漏极为所述第二阻抗器件的第二端，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS的栅极耦接。
6.如权利要求4所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第二阻抗器件为电阻。
7.如权利要求4所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第三阻抗器件为第四NMOS管；所述第四NMOS管的源极为所述第三阻抗器件的第一端，所述第四NMOS管的漏极为所述第三阻抗器件的第二端，所述第四NMOS管的栅极与所述第一NMOS的栅极耦接。
8.如权利要求4所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第三阻抗器件为电阻。
9.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述驱动管的宽长比为所述第一NMOS管的宽长比的M倍，M＞1。
10.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述基准电流源为输出电流可调的电流源。
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