[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布鳍部；

在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；

在所述伪栅结构上形成至少一个分立排布的硬掩膜层；

在所述硬掩膜层的侧壁上形成牺牲侧墙；

在相邻的所述牺牲侧墙之间形成牺牲层；

去除所述牺牲侧墙以及所述牺牲侧墙覆盖的所述伪栅结构，形成开口；

在所述开口内填充满介质层，所述介质层的顶部与所述硬掩膜层的顶部齐平。

2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层包括单层结构或叠层结构。

3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层为单层结构时，所述介质层的材料包括氧化硅或氮化硅或氮氧化硅或碳氧化硅或碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种。

4.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层为叠层结构时，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层上。

5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同。

6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氮氧化硅或者碳氮氧化硅中的一种或者多种。

7.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氮化硅。

8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料包括氮化硅或氧化硅或碳化硅或碳氧化硅中的一种或者多种。

9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料包括氧化硅或氮化硅或碳化硅中的一种或多种。

10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述开口内填充介质层，所述介质层的顶部与所述硬掩膜层的顶部齐平之后，还包括，去除所述牺牲层以及所述牺牲层覆盖的所述伪栅结构。

11.一种采用权利要求1至10任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

若干鳍部，分立位于所述衬底上；

伪栅结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部；

硬掩膜层，分立位于所述伪栅结构上；

开口，位于相邻的所述硬掩膜层之间以及所述硬掩膜层下的相邻的所述伪栅结构之间；

介质层，位于所述开口内，且顶部与所述硬掩膜层的顶部齐平；

牺牲层，位于相邻的所述介质层之间，且位于所述伪栅结构上。