[发明专利]电抗器在审

专利信息
申请号: 201910407418.7 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN111952048A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 陈全光;杨志辉 申请(专利权)人: 夏弗纳电磁兼容(上海)有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱薇蕾;吴敏
地址: 201201 上海市浦东新区金*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电抗
【权利要求书】:

1.一种电抗器,其特征在于,包括:

下铁轭,所述下铁轭具有相对的第一面和第二面,其中,所述下铁轭的第一面开设有第一凹槽;

上铁轭,所述上铁轭具有相对的第一面和第二面,其中,所述上铁轭的第一面开设有第二凹槽,所述上铁轭的第一面面向所述下铁轭的第一面设置;

位于所述下铁轭和上铁轭之间的中柱,沿第一方向,所述中柱依次包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一方向为所述下铁轭指向上铁轭的方向;

线圈,卷绕于所述中柱的第二部分;

其中,所述第一凹槽适于容置所述中柱的第一部分,所述第二凹槽适于容置所述中柱的第三部分;

所述中柱的第一部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积,并且,所述中柱的第三部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积,所述截面垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分一体成型,和/或,所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分一体成型。

3.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,沿所述第一方向,所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分之间是平滑过渡的,和/或,所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分之间是平滑过渡的。

4.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,沿所述第一方向,所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分之间呈阶梯状过渡,和/或,所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分之间呈阶梯状过渡。

5.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一凹槽的深度不小于所述中柱的第一部分的高度,和/或,所述第二凹槽的深度不小于所述中柱的第三部分的高度。

6.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述中柱的第一部分与所述第一凹槽的截面形状相适配,所述中柱的第三部分与所述第二凹槽的截面形状相适配。

7.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述中柱的第二部分与所述中柱的第一部分的截面形状相同,和/或,所述中柱的第二部分与所述中柱的第三部分的截面形状相同。

8.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述第一凹槽和第二凹槽的截面形状选自:方形;圆形;多边形。

9.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述第一凹槽的截面的面积不小于所述中柱的第一部分的截面的面积,和/或,所述第二凹槽的截面的面积不小于所述中柱的第三部分的截面的面积。

10.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述下铁轭和上铁轭采用铁氧体材料制成。

11.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述中柱采用磁粉芯材料制成。

12.根据权利要求1所述的电抗器,其特征在于,所述下铁轭包覆所述中柱的第一部分中暴露于第一凹槽之外的部分;和/或,所述上铁轭包覆所述中柱的第三部分中暴露于第二凹槽之外的部分。

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