[发明专利]电抗器

说明书

一种电抗器，包括：下铁轭，下铁轭的第一面开设有第一凹槽；上铁轭，上铁轭的第一面开设有第二凹槽，上铁轭的第一面面向下铁轭的第一面设置；位于下铁轭和上铁轭之间的中柱，沿第一方向，中柱依次包括第一部分、第二部分和第三部分；线圈，卷绕于中柱的第二部分；其中，第一凹槽适于容置所述中柱的第一部分，所述第二凹槽适于容置所述中柱的第三部分；所述中柱的第一部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积，并且，所述中柱的第三部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积，所述截面垂直于所述第一方向。通过本发明提供的方案能够在不增加电抗器整体体积、不降低绕组空间的前提下，降低磁通损耗，有效增大饱和磁通。

技术领域

本发明涉及电抗器技术领域，具体地涉及一种电抗器。

背景技术

为达到减小损耗、尺寸和磁芯重量的目的，现有的电抗器通常采用复合磁芯结构，也即，通过将软磁性金属压粉磁芯用于线圈卷绕部，并将铁氧体磁芯用于磁轭部的方式组合形成所述复合磁芯。

复合磁芯的优势在于，在电源电路场景中能够克服开关频率超过一定限值后出现的铁芯损耗变大的问题。

由于复合磁芯的磁轭部仍采用铁氧体制成，而铁氧体的饱和磁通较低，虽然可以通过增大铁氧体面积的方式提升饱和磁通，但提升效果有限，且会增大电抗器的整体体积。

如果通过增大磁粉芯和铁氧体的接触面积的方式来提升饱和磁通，受到制造工艺的限制，磁粉芯用于增大与铁氧体的接触面积的部分无法缠绕线圈，将导致电抗器中可用于卷绕绕组的绕组空间被压缩。

总而言之，现有技术无法提供一种能够兼顾电抗器整体体积、绕组空间和饱和磁通的电抗器结构。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何在不增加电抗器整体体积、不降低绕组空间的前提下，降低磁通损耗，有效增大饱和磁通。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种电抗器，包括：下铁轭，所述下铁轭具有相对的第一面和第二面，其中，所述下铁轭的第一面开设有第一凹槽；上铁轭，所述上铁轭具有相对的第一面和第二面，其中，所述上铁轭的第一面开设有第二凹槽，所述上铁轭的第一面面向所述下铁轭的第一面设置；位于所述下铁轭和上铁轭之间的中柱，沿第一方向，所述中柱依次包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一方向为所述下铁轭指向上铁轭的方向；线圈，卷绕于所述中柱的第二部分；其中，所述第一凹槽适于容置所述中柱的第一部分，所述第二凹槽适于容置所述中柱的第三部分；所述中柱的第一部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积，并且，所述中柱的第三部分的截面的面积大于所述中柱的第二部分的截面的面积，所述截面垂直于所述第一方向。

可选的，所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分一体成型，和/或，所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分一体成型。

可选的，沿所述第一方向，所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分之间是平滑过渡的，和/或，所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分之间是平滑过渡的。

可选的，沿所述第一方向，所述中柱的第一部分与所述中柱的第二部分之间呈阶梯状过渡，和/或，所述中柱的第三部分与所述中柱的第二部分之间呈阶梯状过渡。

可选的，沿所述第一方向，所述第一凹槽的深度不小于所述中柱的第一部分的高度，和/或，所述第二凹槽的深度不小于所述中柱的第三部分的高度。

可选的，所述中柱的第一部分与所述第一凹槽的截面形状相适配，所述中柱的第三部分与所述第二凹槽的截面形状相适配。

可选的，所述中柱的第二部分与所述中柱的第一部分的截面形状相同，和/或，所述中柱的第二部分与所述中柱的第三部分的截面形状相同。

可选的，所述第一凹槽和第二凹槽的截面形状选自：方形；圆形；多边形。