[发明专利]管芯清洁系统和相关方法在审
| 申请号： | 201910408847.6 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110534476A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张丹<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 管芯 半导体管芯 锯道 衬底 半导体 清洁系统 损伤层 分割 声能 移除 施加 | ||
1.一种形成多个半导体管芯的方法，所述方法包括：
在半导体衬底中的管芯锯道的表面下方形成损伤层；
沿着所述管芯锯道将所述半导体衬底分割成多个半导体管芯；以及
通过向所述多个半导体管芯施加声能在分割之后移除所述管芯锯道中的一个或多个颗粒。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成损伤层还包括：在所述管芯锯道的所述表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体衬底内的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道，以形成所述损伤层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成损伤层还包括：
在所述管芯锯道的所述表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体衬底内的第一深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道；以及
在所述管芯锯道的所述表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体衬底内的第二深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道。
4.一种形成多个半导体管芯的方法，所述方法包括：
在管芯锯道下方的焦点处用激光束辐照半导体衬底以形成损伤层；
沿着所述管芯锯道将所述半导体衬底锯切成多个半导体管芯；以及
通过向所述多个半导体管芯施加声能在分割之后移除所述管芯锯道中的一个或多个颗粒。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，辐照所述半导体衬底还包括：
在所述管芯锯道的所述表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体衬底内的第一深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道；以及
在所述管芯锯道的所述表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体衬底内的第二深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括在施加所述声能的同时用液体喷射所述多个半导体管芯。
7.根据权利要求4所述的方法，还包括在切割所述半导体衬底的同时向锯片施加声能。
8.一种形成多个半导体管芯的方法，所述方法包括：
沿着管芯锯道将碳化硅半导体衬底分割成多个半导体管芯；
向所述碳化硅半导体衬底施加声能；
通过向所述多个半导体管芯施加声能在分割所述碳化硅半导体衬底之后移除所述管芯锯道中的一个或多个颗粒。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，向所述碳化硅半导体衬底施加声能还包括直接向与卡盘耦接的主轴施加声能，所述卡盘耦接到所述碳化硅半导体衬底。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括以下中的一者：在施加所述声能的同时用液体喷射所述多个半导体管芯，以及在施加所述声能的同时将所述多个半导体管芯浸入液体中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
