[发明专利]管芯清洁系统和相关方法

说明书

本发明题为“管芯清洁系统和相关方法”。本发明涉及一种形成多个半导体管芯的方法，该方法的实施方式可以包括：在半导体衬底中的管芯锯道的表面下方形成损伤层；沿着管芯锯道将半导体衬底分割成多个半导体管芯；以及通过向多个半导体管芯施加声能在分割之后移除管芯锯道中的一个或多个颗粒。

背景技术

1.技术领域

本文档的各方面通常涉及用于从半导体衬底分割管芯的系统和方法。

2.背景技术

半导体器件通常形成在半导体衬底的表面上和表面内。由于半导体衬底通常比器件大得多，因此器件被彼此分割成各种半导体管芯。使用锯切半导体衬底的方法来将半导体管芯彼此分离。

发明内容

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括：在半导体衬底中的管芯锯道的表面下方形成损伤层；沿着管芯锯道将半导体衬底分割成多个半导体管芯；以及通过向多个半导体管芯施加声能在分割之后移除管芯锯道中的一个或多个颗粒。

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

半导体衬底可以是碳化硅。

形成损伤层还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体衬底内的焦点处用激光束辐照管芯锯道，以形成损伤层。

形成损伤层还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体衬底内的第一深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道；以及在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体衬底内的第二深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道。

分割半导体衬底可以包括锯切半导体衬底。

该方法可以包括使用激光烧蚀管芯锯道的材料的一部分。

半导体衬底可以使用隐形划片来分割。

施加声能可以包括施加介于20kHz至3GHz之间的声能。

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括：在管芯锯道下方的焦点处用激光束辐照半导体衬底以形成损伤层；沿着管芯锯道将半导体衬底锯切成多个半导体管芯；以及通过向多个半导体管芯施加声能在分割之后移除管芯锯道中的一个或多个颗粒。

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

施加声能可以包括施加介于20kHz至3GHz之间的声能。

半导体衬底可以是碳化硅。

该方法可以包括使用激光烧蚀管芯锯道的材料的一部分。

形成损伤层还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体衬底内的第一深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道；以及在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体衬底内的第二深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道。

该方法可以包括在施加声能的同时用液体喷射多个半导体管芯。

该方法可以包括在切割半导体衬底的同时向锯片施加声能。

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括：沿着管芯锯道将碳化硅半导体衬底分割成多个半导体管芯；向碳化硅半导体衬底施加声能；以及通过向多个半导体管芯施加声能在分割碳化硅半导体衬底之后移除管芯锯道中的一个或多个颗粒。

形成多个半导体管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

施加声能可以包括施加介于20kHz至3GHz之间的声能。

向碳化硅半导体衬底施加声能可以包括直接向与耦接到碳化硅半导体衬底的卡盘耦接的主轴施加声能。