[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：具有第1处理组件；第2处理组件；第1排气箱；第1供给箱；第2排气箱，其与第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对第2处理容器内进行排气的第2排气系统；第2供给箱，其在第2排气箱的与相邻于第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，第1排气箱配置在位于第1处理组件背面的与第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，第2排气箱配置在位于第2处理组件背面的与第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。

本申请是申请日为2016年06月30日、国际申请号为 PCT/JP2016/069486、国家申请号为201680085181.X、发明名称为“衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

在半导体器件(元器件)的制造工序中的衬底处理中，例如，使用一并处理多张衬底的立式衬底处理装置。维护衬底处理装置时，需要在衬底处理装置周边确保维护区域，为了确保维护区域，有时衬底处理装置的占地面积大(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-283356号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供能够在确保维护区域的同时减少占地面积的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供下述技术，具备：

第1处理组件，具有处理衬底的第1处理容器；

第2处理组件，其具有与上述第1处理容器相邻地配置的处理上述衬底的第2处理容器；

第1排气箱，其与上述第1处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第1处理容器内进行排气的第1排气系统；

第1供给箱，其在上述第1排气箱的与相邻于上述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向上述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统；

第2排气箱，其与上述第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第2处理容器内进行排气的第2排气系统；及

第2供给箱，其在上述第2排气箱的与相邻于上述第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向上述第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，

其中，上述第1排气箱配置于上述第1处理组件背面的与上述第 2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，上述第2排气箱配置于上述第 2处理组件背面的与上述第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。

发明的效果

根据本发明，能够在确保维护区域的同时减少占地面积。

附图说明

[图1]为概略性地示出本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的俯视图。

[图2]为概略性地示出本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的纵剖面图。

[图3]为概略性地示出本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的纵剖面图。

[图4]为概略性地示出本发明的实施方式中优选使用的处理炉的一例的纵剖面图。

[图5]为概略性地示出本发明的实施方式中优选使用的处理组件的一例的横剖面图。

具体实施方式