[发明专利]双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器

权利要求书

1.一种双滤波器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供一压电晶片；

(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；

(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；

(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；

(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。

2.如权利要求1所述的双滤波器芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)还包括：提供第一滤波器MASK1及第二滤波器MASK2，步骤(3)具体包括：

(301)第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；

(302)第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；

(303)第一次显影：对步骤(302)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；

(304)第一次沉积：对含有第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第一次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h1；

(305)第一次剥离：将经过步骤(304)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。

3.如权利要求2所述的双滤波器芯片制作方法，其特征在于，步骤(4)具体包括：

(401)第二次涂胶：在含有第一第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面上，通过旋转涂胶方式涂光刻胶；

(402)第二次曝光：用第二滤波器MASK2对第二次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形；

(403)第二次显影：对步骤(402)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；

(404)第二次沉积：对含有第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第二次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h2；

(405)第二次剥离：将经过步骤(404)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。

4.一种双滤波器芯片，包括压电晶片、第一滤波器及第二滤波器，所述第一滤波器及第二滤波器设置于所述压电晶片上，所述第一滤波器包括第一金属指条，所述第二滤波器包括第二金属指条，其特征在于，所述第一金属指条及第二金属指条采用以下方法进行制作：

(1)提供一压电晶片；

(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；

(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；

(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；

(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。

5.如权利要求4所述的双滤波器芯片，其特征在于，第一金属指条的制作步骤具体包括：

提供压电晶片、第一滤波器MASK1及第二滤波器MASK2；第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；

第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；

第一次显影：对第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；

第一次沉积：对含有第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第一次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h1；

第一次剥离：将经过第一次镀膜处理后的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。