[发明专利]双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器

说明书

本发明实施例公开了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：提供一压电晶片；对压电晶片的表面进行清洗；在清洗后的压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；对沉积有第一金属条的压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条；对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。实施本发明实施例双滤波器芯片制作方法，使得双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到了最优，从而提升了双滤波器的整体性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器。

背景技术

随着CA(Carrier Aggregation，载波聚合)的发展，以及频段数量的增加，需要双滤波器/多滤波器来满足两个/多个频段同时使用的需求。

SAW(surface acoustic wave-声表面波)滤波器主要是由沉积在压电晶片材料表面的叉指换能器组成。双SAW滤波器由两个SAW滤波器组成，在一个压电晶片表面有两个滤波器，并且封装在一起。SAW滤波器的基本原理为：输入IDT (Interdigital Transducers,叉指换能器)通过逆压电效应将输入电信号转化为声信号，声信号沿基片表面传播，最终由输出IDT通过正压电作用实现声电换能，转化后的电信号由输出端输出。整个SAW滤波器可以实现频率选择，它是通过IDT的选频特性并通过对压电基片上，传播的信号进行声电、电声之间的转换实现，主要应用于手机射频前端。

通常双滤波器中的两个滤波器工作在两个不同的频段，它们的中心频率f₀不同，中心频率f₀主要与声表面波的声速以及叉指换能器的周期有关，还跟叉指换能器金属指条膜厚h有关，而指电极的膜厚还会影响着声波的传播损耗和反射损耗，这两个指标会影响到滤波器的性能，因此在进行做SAW滤波器的设计优化时，需要对金属指条的膜厚h进行优化来得到一个最优值，使SAW滤波器的性能达到最佳。

根据上述的分析，在设计双SAW滤波器时，根据不同的中心频率f₀会得到两个不同的金属指条膜厚h1和h2，为了加工工艺简化，通常会在h1和h2之间取一个合适的值h3，但是这个金属指条膜厚h3，使两个滤波器的性能不会达到最佳，从而会降低这个双滤波器的整体性能。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器，以使双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到最优，从而提升双滤波器的整体性能。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：

(1)提供一压电晶片；

(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；

(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；

(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；

(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。

作为本申请一种优选的实施方式，所述步骤(1)还包括：提供第一滤波器 MASK1及第二滤波器MASK2，步骤(3)具体包括：

(301)第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；

(302)第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；