[发明专利]一种三维存储器结构在审
| 申请号： | 201910415247.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110299361A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;张格毅;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 第二存储单元 三维存储器 易失性存储 三维存储层 衬底 集成电路领域 缓存 结构形成 写晶体管 电容 晶体管 存储 优化 | ||
1.一种三维存储器结构，其特征在于，包括一衬底，于所述衬底上形成逻辑电路层，并于所述逻辑电路层上形成易失性存储层，随后于所述易失性存储层上形成三维存储层；
所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；
所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；
采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；
每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成。
2.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储层包括一底部绝缘保护层和一顶部绝缘保护层。
3.根据权利要求2所述的三维存储器结构，其特征在于，所述绝缘保护层中包含所述三维存储层中的连接电路。
4.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，于所述第一存储单元中，所述读晶体管和所述写晶体管分别形成于不同的两片晶圆上，并通过晶圆拼接的方式形成所述第一存储单元；
拼接后，于每个所述第一存储单元中，所述读晶体管和所述写晶体管在空间上上下垂直放置。
5.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述逻辑电路层中包括所述三维存储器的读电路、写电路、放大电路以及译码电路。
6.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述易失性存储层包括一下层晶体管层、一上层晶体管层和一电容层，所述上层晶体管层堆叠于所述下层晶体管层上方，所述电容层堆叠于所述上层晶体管层上方；
所述下层晶体管层、所述上层晶体管层及所述电容层在空间上上下垂直放置；
所述上层晶体管层中包括多个上层晶体管，所述下层晶体管层中包括多个下层晶体管；
所述下层晶体管，与所述下层晶体管相互堆叠的所述上层晶体管、以及所述电容层形成一个所述第一存储单元。
7.根据权利要求6所述的三维存储器结构，其特征在于，在所述晶体管层中：所述下层晶体管为读晶体管，则相互堆叠的所述上层晶体管为写晶体管；
或者所述下层晶体管为写晶体管，则相互堆叠的所述上层晶体管为读晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
