[发明专利]阵列基板以及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；

于所述基板上制作图案化钼遮光层；

于所述图案化钼遮光层上覆盖缓冲层；

于所述缓冲层上制作图案化主动层；

于所述图案化主动层覆盖栅极绝缘层；

于所述栅极绝缘层上制作图案化栅极层；

于所述图案化栅极层上覆盖层间绝缘层；

于所述层间绝缘层上制作源/漏极层以提供一完成源/漏极层的阵列基板，其中，所述完成源/漏极层的阵列基板包括多个薄膜晶体管；

使用半色调光罩显影制程形成一图案化光阻层覆盖于所述阵列基板上；

蚀刻所述源/漏极层；

蚀刻位于所述多个薄膜晶体管与所述基板之间的层间绝缘层、栅极绝缘层以及缓冲层；

对所述图案化光阻层进行灰化处理；

对所述源/漏极层进行第二次蚀刻以形成图案化源/漏极层；

形成平坦化层覆盖于所述阵列基板上；以及

于所述平坦化层上形成一透明共导电层；

其中，所述平坦化层与所述透明共导电层之间设置图案化金属层，所述透明共导电层为内嵌式触控面板的共电极，每个所述薄膜晶体管及图案化金属层均设置于钼遮光层正上方。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

于所述透明共导电层上形成一钝化层；以及

于所述钝化层上形成一透明画素电极。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述图案化主动层包括多晶硅材料。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述图案化主动层包括多晶硅层、位于所述多晶硅层两侧的轻掺杂区以及位于所述轻掺杂区两侧的重掺杂区。