[发明专利]阵列基板以及阵列基板的制作方法

说明书

一种阵列基板以及一种阵列基板的制作方法。所述阵列基板包括基板、多个薄膜晶体管设置于所述基板上、以及平坦化层覆盖所述多个薄膜晶体管并填充于所述多个薄膜晶体管与所述基板之间所形成的区域。

【技术领域】

本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板以及一种阵列基板的制作方法。

【背景技术】

液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)是目前显示器的主流，但是其光线利用率长久以来不易提升，透光率有限。

采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)技术制作薄膜晶体管的通道，因为其载子迁移率较高而可获得较高的电流，相应的可缩小薄膜晶体管的尺寸而增加每个子像素的透光区域面积，但是提高的透光率仍有限。

【发明内容】

为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供一种阵列基板以及一种阵列基板的制作方法，通过挖除薄膜晶体管之间的多个无机绝缘层以降低层间的光线吸收、反射、折射或散射作用，提高透光率。

为达成上述目的，本揭示提供一种阵列基板，包括基板、多个薄膜晶体管设置于所述基板上、以及平坦化层覆盖所述多个薄膜晶体管并填充于所述多个薄膜晶体管与所述基板之间所形成的区域。

于本揭示一实施例的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管包括钼遮光层设置于所述基板上、缓冲层包覆于所述钼遮光层上、主动层设置于所述缓冲层上、栅极绝缘层包覆于所述主动层上、图案化栅极层设置于所述栅极绝缘层上、层间绝缘层包覆于所述图案化栅极层上、以及源/漏极层设置于所述层间绝缘层上并透过第一通道层接于所主动层。

于本揭示一实施例的阵列基板，还包括透明共导电层设置于所述平坦化层上、钝化层设置于所述透明共导电层上、以及透明画素电极设置于所述钝化层上。

于本揭示一实施例的阵列基板，其中，所述平坦化层与所述透明共导电层之间更包括图案化金属层及绝缘层。

于本揭示一实施例的阵列基板，其中，所述主动层更包括多晶硅层、位于所述多晶硅层两侧的轻掺杂区、以及与所述轻掺杂区相接的重掺杂区。

本揭示还提供一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤：

提供一完成源/漏极层的阵列基板；

使用半色调光罩显影制程形成一图案化光阻层覆盖于所述阵列基板上；

蚀刻所述源/漏极层；

蚀刻所述层间绝缘层、栅极绝缘层以及所述缓冲层；

对所述图案化光阻层进行灰化处理；

对所述源/漏极层进行第二次蚀刻以形成图案化源/漏极层；以及

形成平坦化层覆盖于所述阵列基板上。

于本揭示一实施例的阵列基板的制作方法，还包括：

于所述平坦化层上形成一透明共导电层；

于所述透明共导电层上形成一钝化层；

以及于所述钝化层上形成一透明画素电极。

于本揭示一实施例的阵列基板的制作方法，其中，所述提供一完成源/漏极层的阵列基板的步骤包括：

提供一基板；

于所述基板上制作图案化钼遮光层；

于所述图案化钼遮光层上覆盖缓冲层；

于所述缓冲层上制作图案化主动层；

于所述图案化主动层覆盖栅极绝缘层；