[发明专利]晶体管结构及其操作方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：

基板；

本征半导体层，配置于该基板上，该本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部，该第一过度部连续的延伸于该第一接触部与该通道部之间，且该第二过度部连续的延伸于该第二接触部与该通道部之间；

栅极，重叠该本征半导体层的该通道部，且该本征半导体层位于该基板与该栅极之间；

第一源/漏极，接触该本征半导体层的该第一接触部；

第二源/漏极，接触该本征半导体层的该第二接触部；以及

遮蔽金属层，配置于该基板与该本征半导体层之间，该遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极分别重叠该第一过度部与该第二过度部，而该遮蔽图案重叠该通道部。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极各自与该遮蔽图案相隔一间隙。

3.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该遮蔽图案为浮置，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极适于被施加电压。

4.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一过度部与该通道部的交界与该第二过度部与该通道部的交界对齐该栅极的边缘。

5.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极还重叠该栅极。

6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极还重叠该第一源/漏极。

7.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二遮蔽电极还重叠该第二源/漏极。

8.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一源/漏极接触该本征半导体层的面为第一接触面，该第一接触部与该第一过度部的交界对齐该第一接触面的边缘，而该第二源/漏极接触该本征半导体层的面为第二接触面，该第二接触部与该第二过度部的交界对齐该第二接触面的边缘。

9.如权利要求1所述的晶体管结构，还包括配置于该遮蔽金属层与该本征半导体层之间的第一绝缘层、配置于该本征半导体层与该栅极之间的第二绝缘层以及覆盖该栅极的第三绝层，其中该第一源/漏极与该第二源/漏极配置于该第三绝缘层上且贯穿该第二绝缘层与该第三绝缘层而接触该本征半导体层。

10.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一过度部与该第二过度部各自的宽度由0.8微米至2微米。

11.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极各自的厚度自接近该遮蔽图案的一侧向外增加。

12.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极各自的厚度自接近该遮蔽图案的一侧向外减少。

13.一种晶体管结构的操作方法，包括：

提供如权利要求1所述的晶体管结构；

施加第一操作电压给该晶体管结构的该栅极；

在施加该第一操作电压给该晶体管结构的该栅极的期间，施加第二操作电压给该晶体管结构的该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极。

14.如权利要求13所述的晶体管结构的操作方法，其中该第一操作电压为正电压。

15.如权利要求14所述的晶体管结构的操作方法，还包括于施加该第一操作电压给该晶体管结构的该栅极的期间，施加信号电压给该晶体管结构的该第一源/漏极与该第二源/漏极的其中一者，使该信号电压由该第一源/漏极与该第二源/漏极的该其中一者通过该通道部而传递至该第一源/漏极与该第二源/漏极的另一者。