[发明专利]晶体管结构及其操作方法

说明书

本发明公开一种晶体管结构及其操作方法，其中该晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。栅极重叠本征半导体层的通道部。本征半导体层位于基板与栅极之间。第一源/漏极接触本征半导体层的第一接触部。第二源/漏极接触本征半导体层的第二接触部。遮蔽金属层配置于基板与本征半导体层之间。遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部。遮蔽图案重叠通道部。

技术领域

本发明涉及一种晶体管结构及其操作方法。

背景技术

降低液晶显示面板的驱动频率可以达到节能的效果。然而，液晶显示面板于低频操作时，容易因像素结构的漏电，使画面(frame)的亮度下降，而在更新成下一个画面时，亮度又会明显提升，进而产生画面闪烁(flicker)现象。

发明内容

本发明提供一种晶体管结构，性能佳。

本发明提供一种晶体管结构的操作方法，能使晶体管结构具有良好的性能表现。

本发明的一种晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。第一过度部连续的延伸于第一接触部与通道部之间。第二过度部连续的延伸于第二接触部与通道部之间。栅极重叠本征半导体层的通道部。本征半导体层位于基板与栅极之间。第一源/漏极接触本征半导体层的第一接触部。第二源/漏极接触本征半导体层的第二接触部。遮蔽金属层配置于基板与本征半导体层之间。遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部，而遮蔽图案重叠通道部。

本发明的一种晶体管结构的操作方法，包括：提供上述的晶体管结构；施加第一操作电压给晶体管结构的栅极；在施加第一操作电压给晶体管结构的栅极的期间，施加第二操作电压给晶体管结构的第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。

基于上述，本发明实施例的晶体管结构及其操作方法中，第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部，而遮蔽图案重叠通道部。此外，本发明一实施例的晶体管结构的操作方法中，在施加第一操作电压给晶体管结构的栅极的期间，施加第二操作电压给晶体管结构的第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。由此，改善晶体管结构的漏电现象，提升晶体管结构的性能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的晶体管结构的剖面示意图；

图2A是本发明一实施例的晶体管结构的上视示意图；

图2B是本发明另一实施例的晶体管结构的上视示意图；

图3是本发明又一实施例的晶体管结构的剖面示意图；

图4A是本发明又一实施例的晶体管结构的上视示意图；

图4B是本发明再一实施例的晶体管结构的上视示意图；

图5是本发明另一实施例的晶体管结构的剖面示意图。

符号说明

10、20、30：晶体管结构

100：基板

110、210、310、110A、210A：遮蔽金属层

110L、210L、310L：距离

112、212、312、112A、212A：第一遮蔽电极