[发明专利]使用单个操作伪栅极去除的晶体管栅极结构化的方法

权利要求书

1. 一种晶体管栅极，所述晶体管栅极包括：

在衬底上方的第一部分，其具有第一宽度；和

在第一部分上方的第二部分，其相对于第一部分居中并且具有大于第一宽度的第二宽度，其中第一部分和第二部分形成单个单片T栅极结构。

2.根据权利要求1所述的晶体管栅极，其中所述晶体管栅极由高k材料围绕。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管栅极，其中所述晶体管栅极由功函数设置材料围绕。

4.根据权利要求1或2所述的晶体管栅极，其中所述第一部分形成在氮化镓外延层上方。

5.根据权利要求1或2所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过极化层。

6.根据权利要求1或2所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过隔离层。

7.根据权利要求1或2所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过粘合层。

8.一种晶体管栅极，所述晶体管栅极包括：

第一部分，具有第一宽度；

第二部分，具有大于第一宽度的第二宽度；和

第三部分，具有大于第二宽度的第三宽度，其中第一部分、第二部分和第三部分形成单个单片T栅极结构。

9.根据权利要求8所述的晶体管栅极，其中所述第三部分的中心从所述第二部分的中心偏移预定量。

10.根据权利要求8或9所述的晶体管栅极，其中所述晶体管栅极被功函数设置材料环绕。

11.根据权利要求8或9所述的晶体管栅极，其中所述第一部分形成在GaN外延层上方。

12.根据权利要求8或9所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过极化层。

13.根据权利要求8或9所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过隔离层。

14.根据权利要求8或9所述的晶体管栅极，其中所述第一部分延伸穿过粘合层。

15.一种用于形成晶体管栅极的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方的第一材料中形成具有第一宽度的伪栅极基部；

形成具有大于第一宽度的第二宽度、延伸到第二材料中的伪栅极顶部；

去除所述伪栅极基部和所述伪栅极顶部；

形成T栅极，所述T栅极在从去除所述伪栅极基部和所述伪栅极顶部形成的空间中具有单片结构。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述伪栅极基部和伪栅极顶部是同轴的。

17.根据权利要求15或16所述的方法，还包括在所述T栅极周围形成功函数设置材料。

18.根据权利要求15或16所述的方法，还包括在GaN外延层上方形成所述T栅极。

19.根据权利要求15或16所述的方法，还包括形成所述T栅极以延伸穿过极化层。

20.根据权利要求15或16所述的方法，还包括形成所述T栅极以延伸穿过隔离层。