[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910418486.3 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN110112196B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 方亮;丁玎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明披露了一种显示面板及其制作方法、显示装置。所述显示面板通过对弯折区中的金属走线的覆盖性结构进行改进,从而改善弯折区的有机膜层边缘拐角处应力集中所造成的金属走线覆盖性差的问题,以进一步降低金属走线破洞或断线异常发生。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快速响应时间及宽视角等优势逐渐成为显示领域的主流技术,未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
为了实现OLED显示装置的窄边框,通常会在下边框(Down Border,简称DB)处设计弯折区(Pad Bending,简称PB),其中弯折区域中存在金属走线(Metal Line,简称ML)用以进行信号传输。
在弯折区的金属走线下层设置有有机光阻(ODH),由于有机光阻的固有特性,当其填充到弯折区深孔中并图案化后,具有坡角(Taper)的有机光阻会与介电层(ILD)形成段差(即ODH高出ILD上表面高度值),如图1A所示;弯折区的金属走线在成膜前会采用一定浓度氢氟酸(HF)进行前清洗,氢氟酸会对介电层造成损伤,增大有机光阻边缘处的坡角,如图1B所示。金属走线在有机光阻边缘的拐角处覆盖性差,容易发生应力集中,进而造成金属走线发生破洞或断线异常。
有鉴于此,亟需提供一种新型的显示面板,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。所述显示面板通过对弯折区中的金属走线的覆盖性结构进行改进,从而改善弯折区的有机膜层边缘拐角处应力集中所造成的金属走线覆盖性差的问题,以进一步降低金属走线破洞或断线异常发生。
根据本发明的一方面,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括:一柔性基板,在所述柔性基板上设置有一无机膜层,所述无机膜层顶部包括一介电层,所述柔性基板划分为一非弯折区及一弯折区,在所述弯折区的无机膜层还具有一深孔区,一填充层填充于所述深孔区的深孔,且所述填充层突出于所述介电层的上表面;在所述介电层上设置有一保护层,且所述保护层覆盖部分所述填充层。
在本发明的一实施例中,所述保护层的厚度大于一阈值厚度。
在本发明的一实施例中,在所述弯折区,所述显示面板还包括金属走线层,所述金属走线层设置在所述填充层和所述保护层上。
在本发明的一实施例中,所述保护层具有一沿垂直于所述金属走线层的金属走线方向的凹槽。
在本发明的一实施例中,所述保护层采用无机材料制成。
根据本发明的另一方面,一种采用上述显示面板的制作方法,所述方法包括以下步骤:(1)提供一柔性基板,所述柔性基板划分为一非弯折区及一弯折区,在所述柔性基板上形成无机膜层,所述无机膜层顶部包括一介电层,所述无机膜层还具有一设置于所述弯折区的深孔区;(2)对所述深孔区进行刻蚀,形成具有坡度的深孔,所述深孔的底部位于所述柔性基板上;(3)向所述深孔填充有机材料,形成填充层,且所述填充层突出于所述介电层的上表面;(4)在所述介电层上设置有一保护层,且所述保护层覆盖部分所述填充层;(5)对所述保护层、介电层和填充层进行图案化,以在所述非弯折区形成用于连接所述无机膜层中的有源层和金属走线层的接触孔,并且去除所述弯折区的部分保护层和部分填充层;(6)在所述保护层和填充层上沉积一金属走线层,并且通过掩模板实现图案化。
在本发明的一实施例中,在步骤(5)中采用同一掩模板对所述非弯折区的保护层、介电层和所述弯折区的保护层、填充层进行图案化,其中,去除部分填充层的厚度是根据非弯折区的介电层的厚度而决定的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的