[发明专利]用于间隙等效系统及方法的DRAM感测放大器有源匹配填充特征

说明书

本申请案涉及用于间隙等效系统及方法的DRAM感测放大器有源匹配填充特征。存储器装置可包含具有多个存储器单元的存储器阵列及连接到存储器阵列的一或多个感测放大器。每一感测放大器可包含一对匹配晶体管。还可靠近所述匹配晶体管对中的至少一个晶体管包含有源匹配填充特征。

技术领域

本文描述的实施例大体上涉及存储器装置的领域。更具体来说，当前实施例包含一或多个系统、装置及方法，其包含有源区支持特征以维持平衡感测放大器操作。

背景技术

此部分希望向读者介绍可能与下文描述及/或主张的本发明的各个方面有关的技术的各个方面。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好地理解本发明的各个方面。因此，应理解，这些陈述应从这个角度来阅读，而不是作为现有技术的承认。

存储器装置中的各种操作模式可导致存储器装置上的存储器单元的存取。在此类操作期间，感测放大器可感测存储器单元的电压并输出对应于感测电压的逻辑1或0。此外，每一感测放大器可包含并行操作的一对匹配晶体管。因而，可能希望使每一匹配对以大致相等公差及操作条件操作。然而，归因于存储器装置的布局，一或多个匹配对可能在其相应晶体管之间经历系统变化。因此，本文描述的实施例可针对上文阐述的问题中的一或多者。

发明内容

一方面，本申请案涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个存储单元；一或多个感测放大器，其耦合到所述存储器阵列且各自包括一对匹配晶体管；及有源匹配填充特征，其靠近所述对匹配晶体管中的至少一个晶体管。

另一方面，本申请案涉及一种系统，其包括：控制器；及存储器装置，其通信耦合到所述控制器，其中所述存储器装置包括：多个存储单元；感测放大器，其包括：第一晶体管，其包括有源材料的第一有源区域；及第二晶体管，其包括所述有源材料的第二有源区域，其中所述感测放大器经配置以至少部分基于所述多个存储器单元中的一者的电压来读取及输出逻辑电平；及有源匹配填充特征，其经配置以平衡所述第一有源区域、所述第二有源区域及周围有源区域的有源区域之间的距离。

另一方面，本申请案涉及一种方法，其包括：在衬底上层叠有源材料以形成存储器装置的至少两个晶体管，其中所述至少两个晶体管经匹配以具有大体上类似激活参数；以及靠近所述至少两个晶体管中的第一晶体管层叠有源匹配填充特征，以在所述第一晶体管的第一有源区域与所述有源匹配填充特征的第二有源区域之间产生第一间隙，其中所述第一间隙大致等于所述至少两个晶体管的第二晶体管与所述存储器装置的第三有源区之间的第二间隙。

附图说明

图1是说明根据本发明的实施例的计算机系统的框图。

图2是说明根据本发明的实施例的实例存储器装置的框图；

图3是根据本发明的实施例的图2的存储器装置的一部分的示意图；

图4是根据本发明的实施例的实例感测放大器的示意图；

图5是说明根据本发明的实施例的实例存储器装置的一部分的布局的示意图；

图6是描绘根据本发明的实施例的感测放大器的图5的一部分的放大视图；

图7是根据本发明的实施例存储器装置的区的示意性布局；

图8是说明根据本发明的实施例的添加有源匹配填充特征的图5的存储器装置的一部分的布局的示意图；

图9是说明根据本发明的实施例的添加有源匹配填充特征的实例存储器装置的一部分的布局的示意图；

图10是根据本发明的实施例的用于产生存储器装置的布局的实例方法的流程图；及

图11是根据本发明的实施例的用于将有源匹配填充特征引入存储器装置的实例方法的流程图。

具体实施方式