[发明专利]一种二吡嗪稠环化合物的制备方法及应用在审
申请号: | 201910418837.0 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN110105369A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 刘颖;隋颜泽;高腾;吴彦超 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学(威海) |
主分类号: | C07D495/14 | 分类号: | C07D495/14;C07D487/14;C09K11/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264209 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硼酸 有机半导体器件 稠环化合物 吡嗪 有机半导体化合物 半导体化合物 氨基 薄膜晶体管 反应性基团 环状烷基链 个碳原子 甲硅烷基 甲锡烷基 活性层 可聚合 烷氧基 亚烷基 酰氨基 烯基 支化 直链 制备 应用 合成 | ||
1.图1为二吡嗪稠环化合物;此类化合物是一种有机半导体器件,该有机半导体器件包含如下结构的半导体化合物,其中R1和R2,可以相同也可以不同,并选自取代基R,该取代基R是(i)具有1至20个碳原子的任选取代的直链,支化或者环状烷基链,烷氧基,氨基,酰氨基,甲硅烷基或烯基,或者(ii)可聚合或反应性基团,该基团选自卤素、硼酸、二硼酸以及硼酸和二硼酸的酯、亚烷基和甲锡烷基;Z为S, O, Se, NR`,其中R`为H或者取代基。
2.根据权利要求1的器件,其中该化合物是低聚物。
3.薄膜晶体管,其包含根据以上权利要求任一项的器件。
4.光学器件,其包含权利根据权利要求3的薄膜晶体管。
5.电致发光器件,其包含根据权利要求4的薄膜晶体管。
6.用于形成薄膜晶体管的溶液,该溶液包含溶质,该溶质包含如权利要求1所述的有机半导体化合物。
7.根据权利要求6的溶液,其包含溶剂,溶剂选自取代的苯。
8.根据权利要求7的溶液,其中该溶剂是被选自卤素和烷基的一个或多个取代基取代的苯。
9.用于形成晶体管的方法,该方法包括将根据权利要求6或权利要求7的溶液是施加于基片上。
10.根据权利要求9的方法,其中该溶液通过喷墨印刷进行施加。
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