[发明专利]一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法

说明书

本发明公开了一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法，目的是解决现有多存储体自测试方法测试功耗大且无法识别出错位置和数量的问题。技术方案是在多存储体自测试系统中增加多存储体调试诊断控制器，去掉与门；多存储体调试诊断控制器由节拍控制器、串行移位器、pass诊断器、反向器和n个与门组成；然后根据多存储体集成电路中存储体的分布情况将多存储体的自测试分组，采用改进的多存储体集成自测试系统对多存储体集成电路自测试逐个分组进行调试诊断。采用本发明既可降低自测试功耗，避免局部发热和芯片损坏，又可定位存储体出错位置并获得出错存储体数量，有利于多存储体集成电路降级使用，大大节约成本。

技术领域

本发明涉及大规模集成电路的存储体测试技术领域，尤其是一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法。

背景技术

片上存储体(memory)的大小是衡量大规模集成电路性能的重要指标之一。随着集成电路工艺尺寸的减小和工艺复杂度的增加，片上存储体的可靠性问题越来越突出。针对该问题，存储体的自测试(MBIST)技术被提出并被广泛应用。

图1为传统的多存储体自测试系统逻辑结构图，对于一个含有n个存储体的集成电路，该结构包含n个存储体(用memory_1，…，memory_i，…，memory_n表示，1＝i＝n)、n个自测试控制器(用自测试控制器_1，…，自测试控制器_i，…，自测试控制器_n表示)、n个选择器组(用选择器组_1，…，选择器组_i，…，选择器组_n表示)和一个与门。多存储体自测试系统外接测试机台(如爱德万93K测试机，泰瑞达UltraFLEX测试机)。多存储体自测试系统接收来自测试机台的自测试使能信号selftest_en、自测试复位信号selftest_rst和自测试时钟信号selftest_clk，启动对所有存储体的自测试，并输出指示所有存储体是否成功通过自测试的pass_all信号。

自测试控制器_i由状态机FSM_i和数据比较器_i组成，状态机FSM_i接收来自测试机台自测试使能信号selftest_en、自测试复位信号selftest_rst和自测试时钟信号selftest_clk，产生控制信号i、地址信号i、数据信号i、参考数据i，发送至选择器组_i。数据比较器_i接收来自存储体memory_i的数据输出data_out_i信号和来自状态机FSM的参考数据i，将data_out_i与参考数据i进行比较，若memory_i中所有地址的data_out_i与参考数据i均相同，生成的比较结果信号pass_i有效(为1)，若data_out_i与参考数据i不相同，生成的比较结果信号pass_i无效(为0)，并将pass_i输出至与门。

选择器组_i由3个选择器组成，它从自测试控制器_i接收控制信号i、地址信号i和数据信号i，从其它部件(其它部件指多存储体集成电路中与存储体自测试无关的部件，不属于多存储体自测试系统)接收第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i，根据selftest_en信号从控制信号i、地址信号i、数据信号i和第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i这两组输入进行选择，分别形成数据选择i、地址选择i和读写选择i。当selftest_en信号为有效时，选择器组_i将来自自测试控制器_i的控制信号i、地址信号i和数据信号i送往memory_i，系统执行自测试；当selftest_en信号为无效时，选择器组_i将来自其它部件的第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i送往memory_i，系统不执行自测试。

memory_i为一个存储体，当接收到来自选择器组_i的控制信号i、地址信号i和数据信号i时，执行存储体写操作或读操作并将读出的数据data_out_i发送至自测试控制器_i；当接收到来自选择器组_i的第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i时，执行存储体写操作或读操作并将读出的数据data_out_i发送至其它部件(其它部件指多存储体集成电路中与存储体自测试无关的部件，不属于多存储体自测试系统)。