[发明专利]一种等离子体刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910420237.8 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110211866A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张永柯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 残留电荷 去除 反应腔 体内 刻蚀气体 附着 刻蚀 金属层表面 刻蚀副产物 刻蚀选择比 主刻蚀气体 基板表面 基板放置 静电放电 刻蚀步骤 刻蚀基板 稀释气体 真空系统 电荷 金属层 均匀性 排出 制程 残留 金属 保证 | ||
1.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括：
S10：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；
S20：向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、用于调节刻蚀比的辅助刻蚀气体以及用于稀释并吸附刻蚀副产物和其他未参加反应物质的稀释气体；
S30：待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；
S40：通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀气体为NF3。
3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述辅助刻蚀气体为CHF3。
4.如权利要求3所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体为He、Ar或N2中的一种。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体的流量大于所述主刻蚀气体的流量。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S20的工艺参数为：所述反应腔体压力范围为30-150mTorr，主频功率范围为3000-10000W，偏压功率范围为500-8000，所述主刻蚀气体NF3流量范围为100-5000Sccm，所述辅助刻蚀气体CHF3流量范围为100-1000Sccm，所述稀释气体的流量范围为0-5000Sccm，所述步骤S20刻蚀时间范围为30-150s。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述残留电荷去除气体为O2。
8.如权利要求7所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S30中，向所述反应腔体内导入O2的时间为6s，O2流量范围为0-10000Sccm。
9.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S40持续时间范围为0-30s。
10.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述金属层的材质为铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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