[发明专利]一种等离子体刻蚀方法

说明书

本发明提供一种等离子体刻蚀方法，所述方法至少包括：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、辅助刻蚀气体以及稀释气体；待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。本发明通过在等离子体刻蚀方法的刻蚀步骤结束后，增加导入残留电荷去除气体的步骤，使得残留电荷去除气体与附着在金属层上的残留电荷发生反应，去除残留在金属层表面的电荷，在保证了等离子体刻蚀的刻蚀选择比和均匀性的同时，解决了等离子体刻蚀制程中刻蚀后发生静电放电导致金属击伤的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀方法。

背景技术

等离子体刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是，低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团；活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应，并形成挥发性的反应生成物；反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。

在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应以及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在，才使得各向异性刻蚀得以实现。

在现有4mask工艺中，为实现一次光刻工艺完成有缘半导体层和源漏电极层的两层图案制作，会先对基板进行灰化工艺去除薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)沟道处的光刻胶，完全暴露出光刻胶下面的金属层，再通过另一部刻蚀，去除TFT沟道处的金属层，形成源/漏电极，这种会使得沟道处金属层完全暴露在等离子体环境中。金属层表面容易累计电荷，当金属层表面电荷累计到一定程度时就会放电，造成金属击伤，也就是所谓的静电放电(Electro-Static discharge，ESD)。ESD对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种，前者指的是器件被严重损坏，功能丧失，这种损伤通常在生产过程中的质量检测中能够发现；而后者指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。

综上所述，现有等离子体刻蚀工艺中容易发生静电放电现象，对产品功能造成损坏。故，有必要提供一种等离子刻蚀方法来改善这一缺陷。

发明内容

本发明提供一种等离子体刻蚀方法，用于解决现有技术测试液晶面板耐压能力复杂，不方便的问题。

本发明提供一种等离子体刻蚀方法，所述方法至少包括：

S10：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；

S20：向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、用于调节刻蚀比的辅助刻蚀气体以及用于稀释并吸附刻蚀副产物和其他未参加反应物质的稀释气体；

S30：待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；

S40：通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。

根据本发明一优选实施例，所述主刻蚀气体为NF3。

根据本发明一优选实施例，所述辅助刻蚀气体为CHF3。

根据本发明一优选实施例，所述稀释气体为He、Ar或N2中的一种。

根据本发明一优选实施例，所述稀释气体的流量大于所述主刻蚀气体的流量。