[发明专利]一种高电容密度的MIS芯片电容有效
| 申请号： | 201910420463.6 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310997B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 汤寅;张龙;杨党利;姚伟明;王霄;顾晓春;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 密度 mis 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电容密度的MIS芯片电容的制造方法，其特征是该方法具体包括如下步骤：
1）选择一块N型或者P型的重掺杂硅片作为器件的衬底，衬底的掺杂分别通过高掺杂磷、砷或者硼元素来实现，掺杂浓度为1018 ~1020 ；
2）进行硅片常规清洗；
3）第一次光刻孔槽阵列后刻蚀，然后去胶；
4）高温热氧化生成SiO2 ，或采用LPCVD、PECVD、ALD方式生成，紧接着通过LPCVD或PECVD、ALD方式生成Si3N4；
5）通过原位生长掺杂多晶硅进行孔槽填充，或采用先生长多晶硅再进行磷掺杂的方式完成掺杂多晶硅的填充；
6）第二次光刻并通过刻蚀去除非电极区域的多晶硅，然后去胶；
7）通过LPCVD或者PECVD生长SiO2，形成钝化层；或者通过LPCVD或PECVD生长SiO2 /Si3N4复合介质层形成钝化层；
8）第三次光刻并通过湿法腐蚀去除电极区域的钝化层，然后去胶；
9）溅射Al-Si合金形成缓冲层；
10）第四次光刻，湿法腐蚀去除非电极区域的缓冲层，然后去胶；
11）进行高温退火；
12）溅射正面多层金属；
13）第五次光刻，去除非电极区域的正面多层金属，然后去胶；
14）减薄并溅射背面多层金属，完成高电容密度的MIS芯片电容的制造。
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