[发明专利]一种高电容密度的MIS芯片电容有效

专利信息
申请号: 201910420463.6 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110310997B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 汤寅;张龙;杨党利;姚伟明;王霄;顾晓春;杨勇 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L29/94 分类号: H01L29/94
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 密度 mis 芯片
【权利要求书】:

1.一种高电容密度的MIS芯片电容的制造方法,其特征是该方法具体包括如下步骤:

1)选择一块N型或者P型的重掺杂硅片作为器件的衬底,衬底的掺杂分别通过高掺杂磷、砷或者硼元素来实现,掺杂浓度为1018 ~1020

2)进行硅片常规清洗;

3)第一次光刻孔槽阵列后刻蚀,然后去胶;

4)高温热氧化生成SiO2 ,或采用LPCVD、PECVD、ALD方式生成,紧接着通过LPCVD或PECVD、ALD方式生成Si3N4

5)通过原位生长掺杂多晶硅进行孔槽填充,或采用先生长多晶硅再进行磷掺杂的方式完成掺杂多晶硅的填充;

6)第二次光刻并通过刻蚀去除非电极区域的多晶硅,然后去胶;

7)通过LPCVD或者PECVD生长SiO2,形成钝化层;或者通过LPCVD或PECVD生长SiO2 /Si3N4复合介质层形成钝化层;

8)第三次光刻并通过湿法腐蚀去除电极区域的钝化层,然后去胶;

9)溅射Al-Si合金形成缓冲层;

10)第四次光刻,湿法腐蚀去除非电极区域的缓冲层,然后去胶;

11)进行高温退火;

12)溅射正面多层金属;

13)第五次光刻,去除非电极区域的正面多层金属,然后去胶;

14)减薄并溅射背面多层金属,完成高电容密度的MIS芯片电容的制造。

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