[发明专利]一种高电容密度的MIS芯片电容有效
申请号: | 201910420463.6 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN110310997B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 汤寅;张龙;杨党利;姚伟明;王霄;顾晓春;杨勇 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L29/94 | 分类号: | H01L29/94 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 密度 mis 芯片 | ||
1.一种高电容密度的MIS芯片电容的制造方法,其特征是该方法具体包括如下步骤:
1)选择一块N型或者P型的重掺杂硅片作为器件的衬底,衬底的掺杂分别通过高掺杂磷、砷或者硼元素来实现,掺杂浓度为1018 ~1020 ;
2)进行硅片常规清洗;
3)第一次光刻孔槽阵列后刻蚀,然后去胶;
4)高温热氧化生成SiO2 ,或采用LPCVD、PECVD、ALD方式生成,紧接着通过LPCVD或PECVD、ALD方式生成Si3N4;
5)通过原位生长掺杂多晶硅进行孔槽填充,或采用先生长多晶硅再进行磷掺杂的方式完成掺杂多晶硅的填充;
6)第二次光刻并通过刻蚀去除非电极区域的多晶硅,然后去胶;
7)通过LPCVD或者PECVD生长SiO2,形成钝化层;或者通过LPCVD或PECVD生长SiO2 /Si3N4复合介质层形成钝化层;
8)第三次光刻并通过湿法腐蚀去除电极区域的钝化层,然后去胶;
9)溅射Al-Si合金形成缓冲层;
10)第四次光刻,湿法腐蚀去除非电极区域的缓冲层,然后去胶;
11)进行高温退火;
12)溅射正面多层金属;
13)第五次光刻,去除非电极区域的正面多层金属,然后去胶;
14)减薄并溅射背面多层金属,完成高电容密度的MIS芯片电容的制造。
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