[发明专利]墨水及其制备方法和显示器件的制备方法

权利要求书

1.一种墨水，其特征在于，包括量子点材料、第一溶剂、钙钛矿前驱体材料和第二溶剂，所述量子点材料能够溶于所述第一溶剂，所述钙钛矿前驱体材料能够溶于所述第二溶剂且不溶于所述第一溶剂，所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂，所述第一溶剂与所述第二溶剂能够互溶；所述钙钛矿前驱体材料包括第一卤化物和第二卤化物，所述第一卤化物的阳离子和所述第二卤化物的阳离子不相同。

2.根据权利要求1所述的墨水，其特征在于，所述第一卤化物的阳离子为有机铵离子、脒离子或碱金属离子，所述第二卤化物的阳离子为铅、锡、锗、铟、银、铋、钠、钨、铜、锌、镓、铑、钯、镉、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊和钋中至少一种金属形成的阳离子。

3.根据权利要求1所述的墨水，其特征在于，所述第二溶剂的沸点比所述第一溶剂的沸点低30℃以上。

4.根据权利要求2所述的墨水，其特征在于，所述第一溶剂的沸点为200℃～350℃，所述第二溶剂的沸点为100℃～170℃。

5.根据权利要求1所述的墨水，其特征在于，所述第一溶剂为邻氯甲苯、对氯甲苯、间氯甲苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯、三甲苯、四甲苯、1-甲基萘、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯、联苯、1,3,5-三甲苯、1,2,4-三甲苯、1-氯萘、1-四氢萘酮、3-苯氧基甲苯、1-甲氧基萘、二甲基萘、苯甲酸苄酯、二苄醚、茚、苄基苯、二乙烯基苯、茚满和环氧苯乙烷中的至少一种；所述第二溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二乙基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰基乙酰胺和N,N-二甲基乙酰胺缩二甲醇中的至少一种；所述第一卤化物的阳离子为甲基铵离子、甲脒离子、2-苯基乙铵离子、铯离子或铷离子，所述第二卤化物的阳离子为铅离子、锡离子、锗离子、(InAg)²⁺或(InNa)²⁺；所述量子点材料为II-IV族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体和I-III-VII族半导体纳米晶中的一种。

6.根据权利要求5所述的墨水，其特征在于，所述钙钛矿前驱体材料中，所述第一卤化物与所述第二卤化物的摩尔比为(2～4):1。

7.根据权利要求1～6任一项所述的墨水，其特征在于，所述墨水中，所述第一溶剂的体积比为1％～70％，所述第二溶剂的体积比为30％～99％。

8.根据权利要求1～6任一项所述的墨水，其特征在于，所述墨水中，所述钙钛矿前驱体材料的浓度为1mg/mL～50mg/mL，所述量子点材料的浓度为2mg/mL～40mg/mL。

9.一种墨水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将含有量子点材料的量子点溶液与含有钙钛矿前驱体材料的钙钛矿前驱体溶液混合，得到所述墨水；

其中，所述量子点溶液中的溶剂为第一溶剂，所述钙钛矿前驱体溶液中的溶剂为第二溶剂，所述钙钛矿前驱体材料不溶于所述第一溶剂，且所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂，所述第一溶剂与所述第二溶剂能够互溶；所述钙钛矿前驱体材料包括第一卤化物和第二卤化物，所述第一卤化物的阳离子和所述第二卤化物的阳离子不相同。

10.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将权利要求1～8任一项所述的墨水或权利要求9所述的制备方法制备的墨水沉积至显示基板上并干燥，形成下层为钙钛矿层、上层为量子点层的双层结构。