[发明专利]墨水及其制备方法和显示器件的制备方法

说明书

本发明涉及一种墨水及其制备方法和显示器件的制备方法，墨水包括量子点材料、第一溶剂、钙钛矿前驱体材料和第二溶剂，所述量子点材料能够溶于所述第一溶剂，所述钙钛矿前驱体材料能够溶于所述第二溶剂且不溶于所述第一溶剂，所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂，所述第一溶剂与所述第二溶剂能够互溶。本发明的墨水利用反溶剂原理，经过一次成膜制备工艺就可以完成两层功能层的制备，有利于简化加工工艺、节约时间和提高生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种墨水及其制备方法和显示器件的制备方法。

背景技术

量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性，这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。量子点可分散于溶剂中配制成量子点墨水等印刷材料，适用于溶液法制备，可采用打印、移印、旋涂等方法制造量子点薄膜和量子点发光器件。目前，已有很多关于量子点墨水等被用于溶液加工光电器件的报道，但是这些墨水都只能形成单一的功能层，而不能一次形成多层功能层。而在器件制备过程中，每一功能层都要经历墨水制备、墨水沉积、真空干燥成膜和退火等步骤，导致器件制备过程冗长，耗时耗力，降低了生产效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种可一次形成多层功能层的墨水。

一种墨水，包括量子点材料、第一溶剂、钙钛矿前驱体材料和第二溶剂，所述量子点材料能够溶于所述第一溶剂，所述钙钛矿前驱体材料能够溶于所述第二溶剂且不溶于所述第一溶剂，所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂，所述第一溶剂与所述第二溶剂能够互溶；所述钙钛矿前驱体材料包括第一卤化物和第二卤化物，所述第一卤化物的阳离子和所述第二卤化物的阳离子不相同。

在其中一个实施例中，所述第一卤化物的阳离子为有机铵离子、脒离子或碱金属离子，所述第二卤化物的阳离子为铅、锡、锗、铟、银、铋、钠、钨、铜、锌、镓、铑、钯、镉、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊和钋中至少一种金属形成的阳离子。

在其中一个实施例中，所述第二溶剂的沸点比所述第一溶剂的沸点低30℃以上。

在其中一个实施例中，所述第一溶剂的沸点为200℃～350℃，所述第二溶剂的沸点为100℃～170℃。

在其中一个实施例中，所述第一溶剂为邻氯甲苯、对氯甲苯、间氯甲苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯、三甲苯、四甲苯、1-甲基萘、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯、联苯、1,3,5-三甲苯、1,2,4-三甲苯、1-氯萘、1-四氢萘酮、3-苯氧基甲苯、1-甲氧基萘、二甲基萘、苯甲酸苄酯、二苄醚、茚、苄基苯、二乙烯基苯、茚满和环氧苯乙烷中的至少一种；所述第二溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二乙基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰基乙酰胺和N,N-二甲基乙酰胺缩二甲醇中的至少一种；所述第一卤化物的阳离子为甲基铵离子、甲脒离子、2-苯基乙铵离子、铯离子或铷离子，所述第二卤化物的阳离子为铅离子、锡离子、锗离子、(InAg)2+或(InNa)2+；所述量子点材料为II-IV族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体和I-III-VII族半导体纳米晶中的一种。

在其中一个实施例中，所述钙钛矿前驱体材料中，所述第一卤化物与所述第二卤化物的摩尔比为(2～4):1。

在其中一个实施例中，所述墨水中，所述第一溶剂的体积比为1％～70％，所述第二溶剂的体积比为30％～99％。

在其中一个实施例中，所述墨水中，所述钙钛矿前驱体材料的浓度为1mg/mL～50mg/mL，所述量子点材料的浓度为2mg/mL～40mg/mL。

本发明还提供了一种墨水的制备方法，包括以下步骤：

将含有量子点材料的量子点溶液与含有钙钛矿前驱体材料的钙钛矿前驱体溶液混合，得到所述墨水；