[发明专利]影像感测显示装置以及影像处理方法有效
申请号: | 201910422561.3 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110112199B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 陈信学;刘品妙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 显示装置 以及 处理 方法 | ||
1.一种影像感测显示装置,其特征在于,包括:
一基板;
多个挡墙,位于该基板上;以及
多个感测单元,位于该基板上,各该感测单元包括:
一第一发光元件、一第二发光元件、一第三发光元件以及一第四发光元件,位于对应的挡墙周围,其中该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件,且该第一发光元件与该第四发光元件为相同颜色的发光元件;及
一光感测元件,位于该对应的挡墙上,该光感测元件包括:一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极和该第二电极之间的一感测层,其中该第一电极与该第二电极分别自该感测层往一第一方向以及一第二方向延伸,该第一方向不同于该第二方向。
2.根据权利要求1所述的影像感测显示装置,其特征在于,更包括一第一反射层,位于该对应的挡墙上,且该第一反射层与该第一电极以及该第二电极分开。
3.根据权利要求2所述的影像感测显示装置,其特征在于,该第一发光元件连接至一第一连接结构以及一第二连接结构,且该第一反射层与该第一连接结构属于同一图案化导电层。
4.根据权利要求3所述的影像感测显示装置,其特征在于,该第一发光元件为垂直式发光元件,且该第一连接结构与该第二连接结构分别连接该第一发光元件的下侧与上侧。
5.根据权利要求4所述的影像感测显示装置,其特征在于,该第一连接结构为金属,且该第二连接结构为透明导电材料。
6.根据权利要求2所述的影像感测显示装置,其特征在于,更包括一第二反射层,位于相邻于该对应的挡墙的另一挡墙上,其中该第一反射层相较于该第二反射层更靠近该光感测元件,且该第一反射层的高度低于该第二反射层的高度。
7.根据权利要求1所述的影像感测显示装置,其特征在于,各该感测单元更包括一主动元件,位于该对应的挡墙下方。
8.根据权利要求1所述的影像感测显示装置,其特征在于,更包括一像素控制元件,位于相邻的两个感测单元之间。
9.根据权利要求1所述的影像感测显示装置,其特征在于,相邻的两个感测单元分别对应于相邻的两个挡墙,且该相邻的两个挡墙互相分开。
10.一种影像处理方法,其特征在于,包括:
提供一影像感测显示装置,该影像感测显示装置包括:
一基板;
多个挡墙,位于该基板上;及
多个感测单元,位于该基板上,各该感测单元包括:
一第一发光元件、一第二发光元件、一第三发光元件以及一第四发光元件,位于对应的挡墙周围,其中该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件,且该第一发光元件与该第四发光元件为相同颜色的发光元件;及
一光感测元件,位于该对应的挡墙上,该光感测元件包括:一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极和该第二电极之间的一感测层,其中该第一电极与该第二电极分别自该感测层往一第一方向以及一第二方向延伸,该第一方向不同于该第二方向;
扫描一待测物,方法包括:
该光感测元件接收该第一发光元件被该待测物反射的光;
该光感测元件接收该第二发光元件被该待测物反射的光;
该光感测元件接收该第三发光元件被该待测物反射的光;
该光感测元件接收该第四发光元件被该待测物反射的光;
运算该光感测元件产生的多个信号;以及
显示运算该些信号后产生的影像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的