[发明专利]影像感测显示装置以及影像处理方法有效
申请号: | 201910422561.3 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110112199B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 陈信学;刘品妙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 显示装置 以及 处理 方法 | ||
一种影像感测显示装置及影像处理方法。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一~第四发光元件以及光感测元件。第一~第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一~第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,且特别涉及一种影像感测显示装置以及影像处理方法。
背景技术
目前,市面上有许多具有指纹辨识装置的个人用电子产品。举例来说,为了保护使用者的隐私,许多智能型手机会附有指纹辨识功能,防止其他人在未经使用者的同意下读取智能型手机中的数据。在一些具有指纹辨识功能的智能型手机中,会利用光感测元件接收指纹反射的光线,藉此得到指纹辨识的功能。为了获得窄边框或无边框的智能型手机,许多厂商试着将光感测元件设置在屏幕的显示区中。然而,设置于显示区中的显示装置限制了像素开口区的大小。
发明内容
本发明的目的在于提供一种影像感测显示装置,能改善光感测元件影响像素开口率的问题。
本发明提供一种影像处理方法,能改善光感测元件影响像素开口率的问题。
本发明的至少一实施例提供一种影像感测显示装置。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一~第四发光元件以及光感测元件。第一~第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一~第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。第一方向不同于第二方向。
本发明的至少一实施例提供一种影像处理方法,包括提供影像感测显示装置、扫描待测物、运算光感测元件产生之多个信号以及显示运算信号后产生的影像。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一~第四发光元件以及光感测元件。第一~第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一~第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。第一方向不同于第二方向。扫描待测物的方法包括:光感测元件接收第一发光元件被待测物反射的光;光感测元件接收第二发光元件被待测物反射的光;光感测元件接收第三发光元件被待测物反射的光;光感测元件接收第四发光元件被待测物反射的光。
基于上述,发光元件发出的光被待测物所反射,并被光感测元件接收。由于光感测元件位于挡墙上。因此,发光元件发出的光在抵达感测层前所需通过的层较少。藉此,光感测元件产生的光电流较好控制,且均匀性较佳,能够减少色彩或亮度不均(MURA)的问题。此外,光感测元件形成于挡墙上,除了能降低对像素的开口率造成影响外,也能避免光感测元件受到其他于形成光感测元件之前进行的工艺的影响。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图;
图1B是图1A线aa’的剖面示意图;
图1C是图1A线bb’的剖面示意图;
图2是依照本发明的一实施例的一种影像处理方法的流程示意图;
图3A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图;
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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