[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201910423480.5 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110223988B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 陈铭耀;黄国有;宋文清 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
一种像素阵列基板包括基板、主动组件、平坦层、第一导电层、第一绝缘层以及第二导电层。主动组件配置于基板上。平坦层覆盖主动组件,且具有第一开口。第一导电层设置于平坦层上,且电性连接主动组件的第一端。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一导电层及第二导电层覆盖平坦层的第一开口的侧面。
技术领域
本发明涉及一种像素阵列基板,且特别涉及一种适用于显示设备的像素阵列基板。
背景技术
现今社会多媒体技术相当发达,多半受惠于半导体组件与显示器的进步。就显示器而言,具有高画质、低能耗、无辐射等优越特性的液晶显示器已俨然成为市场的主流。随着显示器的应用日趋多元,例如应用在虚拟现实(Virtual Reality,VR)的头戴式显示器(Head-mounted display,HMD)、甚至是应用在(车用)投影机的显示面板,都为了让用户有更好的视觉体验而使显示面板的分辨率规格不断提高。
以目前主流的液晶显示器而言,在分辨率不断地提升下,除了开口率(apertureratio)的损失外,用以维持像素驱动电位的储存电容也因电路的可布局空间不断地缩小而减少,造成显示画面异常,例如闪烁(flicker)及串音(crosstalk)的问题。因此,在有限的电路布局空间下,如何维持足够的像素储存电容是发展超高分辨率显示面板的重要课题之一。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板,适用于超高分辨率的显示设备且电性佳。
本发明的像素阵列基板,包括基板、主动组件、平坦层、第一导电层、第一绝缘层以及第二导电层。主动组件配置于基板上。平坦层覆盖主动组件,且具有第一开口。第一导电层设置于平坦层上,且电性连接主动组件的第一端。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一导电层及第二导电层覆盖平坦层的第一开口的侧面。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板的第一开口具有底面,且第一开口的侧面相对于底面倾斜。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括第三导电层,设置于第二导电层上。第三导电层电性连接第一导电层且与第一开口重叠。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括彩色滤光层,设置于第二导电层与第三导电层之间。彩色滤光层具有第一部及围绕第一部的第二部,且第一部重叠于平坦层的第一开口。彩色滤光层的第一部具有第一厚度,第二部具有第二厚度,且第一厚度大于第二厚度。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括间隙物,设置于第三导电层上。平坦层还具有重叠于第一端的第二开口。间隙物重叠于第二开口。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括彩色滤光层,设置于第二导电层与第三导电层之间。彩色滤光层具有第三开口,且第三开口重叠于平坦层的第二开口。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板的第三导电层覆盖平坦层的第二开口与彩色滤光层的第三开口。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括第一信号线,与主动组件电性连接,且具有第一凸出部及第二凸出部。第一信号线的第一凸出部及第二凸出部分别设置于主动组件的第一端的相对两侧。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板的间隙物包括支撑部及底座部。底座部设置于支撑部与平坦层之间,且设置于第二开口中。间隙物的底座部在基板上的垂直投影面积大于间隙物的支撑部在基板上的垂直投影面积。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板的间隙物的底座部具有顶面,且顶面凸出于与第一开口相重叠的部分第三导电层的上表面。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板的间隙物的材质包括黑色树脂材料。
在本发明一实施方式中,上述的像素阵列基板还包括第一信号线,且间隙物的底座部覆盖第一信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的