[发明专利]微型LED芯片巨量转移方法

权利要求书

1.一种微型LED芯片巨量转移方法，其特征在于，包括：

S1在生长衬底上制备微型LED芯片，该微型LED芯片为至p面工艺步骤的垂直芯片或倒装芯片；

S2配备一侧表面具备粘性的临时载体，所述临时载体表面的粘性在UV照射或加热的条件下减弱；

S3将生长衬底表面的芯片朝向临时载体放置，将芯片从生长衬底上剥离并掉落至临时载体表面；

S4使用特定材料制备印章，所述印章表面具备规则排列的凸起，凸起表面具备粘性，且所述凸起表面的粘性在UV照射或加热的条件下减弱；

S5将印章中具备凸起的一侧正对临时载体表面的芯片放置，对临时载体照射UV或加热，印章中的凸起将对应的芯片从临时载体表面取下；

S6将带有芯片的印章朝向目标基板放置，通过键合的方式将芯片转移至目标基板表面，对印章中的凸起照射UV或加热移开印章；

S7重复步骤S2～S6，直至完成芯片的巨量转移；

在步骤S3中，包括：

S31挑选生长衬底表面品质好的芯片；

S32将生长衬底表面的芯片朝向临时载体放置，将品质好的芯片从生长衬底上剥离并掉落至临时载体表面；

S33移动临时载体表面，使临时载体表面的芯片呈特定阵列排布。

2.如权利要求1所述的微型LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S3中，将芯片从生长衬底表面剥离之前，芯片与临时载体之间的距离不大于1mm。

3.如权利要求1所述的微型LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S4中，使用PDMS制备印章，且印章表面凸起依照芯片在临时载体表面的排列方式规则分布。

4.如权利要求1所述的微型LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S6中，目标基板为CMOS控制板或TFT控制板。

5.如权利要求1所述的微型LED芯片巨量转移方法，其特征在于，当步骤S1中在生长衬底上制备垂直芯片至其p面工艺，则在步骤S7之后还包括在n-GaN层表面完成垂直芯片制备的步骤。