[发明专利]微型LED芯片巨量转移方法

说明书

本发明公开了一种微型LED芯片巨量转移方法，包括：在生长衬底上制备微型LED芯片；配备一侧表面具备粘性的临时载体；将生长衬底表面的芯片朝向临时载体放置，将芯片从生长衬底上剥离并掉落至临时载体表面；使用特定材料制备印章，印章表面具备规则排列的凸起，凸起表面具备粘性；将印章中具备凸起的一侧正对临时载体表面的芯片放置，对临时载体照射UV或加热，印章中的凸起将对应的芯片从临时载体表面取下；将带有芯片的印章朝向目标基板放置，通过键合的方式将芯片转移至目标基板表面，对印章中的凸起照射UV或加热移开印章；重复步骤S2~S6，直至完成芯片的巨量转移。简单方便，且无需复杂的设备就能实现目的，大量节约成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种微型LED芯片巨量转移方法。

背景技术

微型LED（MiniLED或MicroLED）是将传统的LED结构薄膜化、微小化及矩阵化之后，采用PCB、柔性PCB及CMOS/TFT集成电路工艺等制成驱动电路，实现LED背光源中每个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于微型LED技术的亮度、对比度、反应时间、可视角度、分辨率等各种指标都强于LCD和OLED技术，加上自发光、结构简单、体积小及节能的优点，已经受到了广泛的关注。

微型LED芯片在制作完成之后，需要转移到驱动电路板上形成LED阵列，称之为巨量转移（Mass Transfer）。由于微型LED芯片太小且数量庞大，是目前微型LED产业化过程中面临的核心技术难题，存在转移速度不够快、精度不够高、良率不理想等技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种微型LED芯片巨量转移方法，简单方便的完成了微型LED芯片的巨量转移。

本发明提供的技术方案如下：

一种微型LED芯片巨量转移方法，包括：

S1 在生长衬底上制备微型LED芯片，该微型LED芯片为至p面工艺步骤的垂直芯片或倒装芯片；

S2 配备一侧表面具备粘性的临时载体，所述临时载体表面的粘性在UV照射或加热的条件下减弱；

S3 将生长衬底表面的芯片朝向临时载体放置，将芯片从生长衬底上剥离并掉落至临时载体表面；

S4 使用特定材料制备印章，所述印章表面具备规则排列的凸起，凸起表面具备粘性，且所述凸起表面的粘性在UV照射或加热的条件下减弱；

S5 将印章中具备凸起的一侧正对临时载体表面的芯片放置，对临时载体照射UV或加热，印章中的凸起将对应的芯片从临时载体表面取下；

S6 将带有芯片的印章朝向目标基板放置，通过键合的方式将芯片转移至目标基板表面，对印章中的凸起照射UV或加热移开印章；

S7 重复步骤S2~S6，直至完成芯片的巨量转移。

本发明提供的微型LED芯片巨量转移方法，将生长衬底上的微型LED芯片剥离下来置于一侧表面具备粘性的临时载体上后，使印章表面的凸起将芯片转移至目标基板，简单快速的实现微型LED芯片的巨量转移，且精度高良率能达到99.999%以上；再有，无需复杂的设备就能实现，大量节约成本。

附图说明

下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。

图1~图6为本发明中微型LED芯片巨量转移方法流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实例进一步说明本发明的实质内容，但本发明的内容并不限于此。

本发明提供了一种微型LED芯片巨量转移方法，包括：