[发明专利]一种融合闪存的CPU虚拟DRAM控制器有效

专利信息
申请号: 201910426225.6 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN110287128B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 杨晨光;林琦;杨艳萍 申请(专利权)人: 北京融芯微科技有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F13/16
代理公司: 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 代理人: 安军永
地址: 100085 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 融合 闪存 cpu 虚拟 dram 控制器
【权利要求书】:

1.一种融合闪存的CPU虚拟DRAM控制器,其特征在于:所述融合闪存的CPU虚拟DRAM控制器的DRAM空间由闪存空间替换,设置一个数据交换开关连接闪存空间与DRAM控制器;

所述闪存空间替换DRAM空间采用以配置缓存控制方法进行缓存控制,实现DRAM与闪存空间相匹配;

所述数据交换开关还连接有虚拟控制单元,虚拟控制单元连接缓存控制器;

闪存空间的容量达到DRAM的百倍以上;

所述虚拟控制单元连接有非易失启停交换控制单元,完成所述CPU虚拟DRAM控制器的非易失DRAM控制管理;

所述缓存控制流程为:

步骤1,判定CPU地址是否在缓存,若是,则访问DRAM控制器,并定义CPU_RDY=1;若否,DRAM与虚拟DRAM更新数据,并定义CPU_RDY返还CPU;

进一步的,所述配置缓存控制方法采用适度干预缓存调度的机制,X位用来常驻,禁止替换;未干预缓存调度时,采用内含调度方法;

进一步的,将CPU的DRAM控制器地址空间D扩展为闪存地址空间F;所述地址空间D有M个地址线,闪存地址空间有N个地址线;其中F大于D;虚拟DRAM扩展倍数K=F/D;

其中,易失的DRAM在加电的初始化过程中有如下选项:从非易失的FLASH空间恢复到前次关机的状态;从外部存储设备写入DRAM。

2.根据权利要求1所述的融合闪存的CPU虚拟DRAM控制器,其特征在于:所述CPU为64位。

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