[发明专利]湿法处理装置及晶圆湿法处理方法

说明书

本发明提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，湿法处理装置包括：晶圆承载台，用于承载晶圆；喷嘴，位于晶圆承载台的一侧上方，用于向晶圆的表面喷射处理液；驱动装置，与喷嘴相连接，用于驱动喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心。本发明的湿法处理装置通过增设驱动装置，可以根据喷嘴喷射处理液的流量调整喷嘴距离晶圆的中心的距离，可以在任意处理液流量的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。

技术领域

本发明属于微电子机械系统技术领域，特别是涉及一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法。

背景技术

在晶圆制造的湿法工艺中，单片式清洗设备由于其优异的清洗效果得到广泛应用，晶圆在晶圆承载台的带动下旋转，当药液(包括化学液或去离子水)喷射至在高速旋转的晶圆表面后，在离心力的作用下药液和杂质一起被甩离晶圆表面，达到清洗或刻蚀晶圆表面的目的。

在现有的湿法制程中，对于药液流量的使用和控制有既定的严格标准，但目前半导体工艺仍处于不断发展和完善的过程中，以单片多晶硅片清洗机为了，其配置的去离子水喷嘴的位置固定，按照既定的流量(即既定的流速)可以使得去离子水准确喷射在晶圆的中心以达到最为理想的杂质清洗效果。然而，若制程需求不同的流速大小时，则此位置固定的去离子水喷嘴喷射到晶圆表面的去离子水的位置会发生偏移，即去离子水喷嘴喷射的去离子水无法准确喷射到晶圆的中心。

由于晶圆处于旋转状态，随着自晶圆的中心向外半径的增大，离心力随之增大，只有当喷嘴将药液喷射到晶圆的中心时才能达到最佳的清洗或刻蚀效果；若药液喷射到晶圆表面的位置偏离晶圆的中心，则会降低药液清洗或刻蚀的均匀性，会造成杂质的残留及刻蚀不均，从而影响清洗或刻蚀的效果，进而影响产品的良率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，用于解决现有技术中的湿法处理设备中的药液喷嘴相较于位于晶圆承载台表面的晶圆中心的位置固定无法调节，无法满足不同制程工艺中向晶圆的中心喷射药液的要求，当药液的流量发生变化时药液喷射到晶圆表面的位置会偏离晶圆的中心，从而降低药液清洗或刻蚀的均匀性，造成造成杂质的残留及刻蚀不均，影响清洗或刻蚀的效果，进而影响产品的良率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种湿法处理装置，所述湿法处理装置包括：

晶圆承载台，用于承载晶圆；

喷嘴，位于所述晶圆承载台的一侧上方，用于向所述晶圆的表面喷射处理液；

驱动装置，与所述喷嘴相连接，用于驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保所述喷嘴将所述处理液喷射至所述晶圆的中心。

可选地，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台，所述喷嘴设置于所述喷嘴固定台上，所述驱动装置与所述喷嘴固定台相连接。

可选地，所述喷嘴包括去离子水喷嘴及化学液喷嘴中的至少一者。

可选地，所述湿法处理装置还包括：

基座，位于所述晶圆承载台的下方，用于设置所述晶圆承载台；

若干个定位销，位于所述晶圆承载台的边缘，且沿所述晶圆承载台的周向间隔排布；所述定位销用于固定所述晶圆；

旋转驱动装置，与所述晶圆承载台相连接，用于驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆旋转。

可选地，所述喷嘴与供液管路相连接，所述湿法处理装置还包括流量计，所述流量计设置于所述供液管路上，用于侦测所述喷嘴喷射的所述处理液的流速。

可选地，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿竖直方向运动，所述驱动装置包括：