[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.半导体发光元件，其特征在于：所述发光元件包括发光结构；所述发光结构包括自下而上层叠设置的第一型半导体层（12）、活性层（13）及第二型半导体层（14），发光结构各层的侧沿处设有透光面（20），各层侧沿处的透光面自下而上地首尾相连形成台阶结构。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述发光结构设于可反射光的基板上。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述发光结构设于基板的反光面上；所述透光面包括一个以上的斜面；各层侧沿处的透光面自下而上首尾相连形成连续的台阶结构（15）。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一型半导体层为n型半导体层；所述第二型半导体层为p型半导体层；所述活性层位于第一型半导体层和第二型半导体层之间。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于：第一型半导体层（12）、活性层（13）及第二型半导体层（14）以3族氮化物半导体材料成型。

6. 根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一型半导体层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述第一型半导体层的n型掺杂物质包括Si、Ge或Sn；

所述第二型半导体层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述第二型半导体层的p型掺杂物质包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba；

所述活性层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述活性层的半导体材料可以以单一量子阱结构或多重量子阱结构形成。

7.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一型半导体层（12）上配置有第一型电极，在第二型半导体层（14）上配置有第二型电极；第二型半导体层与第二型电极之间设有透明的电极层。

8.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一型半导体层为透光结构；活性层处生成的光可透过第一型半导体层并经基板反射后从透光面射出。

9.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：所述透光面以干式蚀刻工艺成型；透光面的倾斜角度可以通过在干式蚀刻时使基板倾斜地执行蚀刻工序而成型。

10.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：所述透光面包括多个不同角度的斜面时，不同斜面的各个倾斜角度可以通过在干式蚀刻时使基板倾斜为不同角度来执行蚀刻工序而成型。