[发明专利]半导体发光元件

说明书

本发明提出半导体发光元件，所述发光元件包括发光结构；所述发光结构包括自下而上层叠设置的第一型半导体层、活性层及第二型半导体层，发光结构各层的侧沿处设有透光面，各层侧沿处的透光面自下而上地首尾相连形成台阶结构；本发明可提高半导体发光元件的光释放效率。

技术领域

本发明涉及半导体元件技术领域，尤其是半导体发光元件。

背景技术

发光二极管的基本模型包括介于n-型载流子层与p-型载流子层之间的活性区域。在活性区域具有厚度且2个载流子层的组成不同时，在活性区域形成单一或多重的量子阱结构。如果施加偏压，则n-型载流子层和p-型载流子层分别向活性区域运输n-型载流子和p-型载流子，在活性区域中，n-型载流子与p-型载流子复合并发光。

最近，以3族氮化物半导体为基础的发光二极管可以表现出与自然光类似的发色，因而在诸如LCD背光或手机等的多样电子制品中大量利用。

原有的普通半导体发光元件为了形成位于下方的n-型载流子层所需的电极，形成去除位于相应部位上的p-型载流子层和活性层而使n-型载流子层露出的台阶结构。

附图1是概略图示，表现以往半导体发光元件的一部分的剖面图。

如果参照图1，以往普通半导体发光元件具有竖直截开的台阶结构(5)。这种台阶结构(5)为了在n-型载流子层(2)上直接形成n型电极，去除一侧的p-型载流子层(4)、活性层(3)及n-型载流子层(2)的一部分，使n-型载流子层(2)露出。在露出的n-型载流子层(2)上配置有n型电极。正如从附图中可知的，台阶结构(5)由于纵向面大致竖直，因而与p-型载流子层(4)上面相接的部位大致构成直角，这种直角部位使得活性层(3)中生成的光子如果被基板(1)反射或直接碰到台阶结构(5)的纵向面，则无法释放到外部，而是反射到内部，降低了光释放效率。

发明内容

本发明提出半导体发光元件，可提高半导体发光元件的光释放效率。

本发明采用以下技术方案。

半导体发光元件，所述发光元件包括发光结构；所述发光结构包括自下而上层叠设置的第一型半导体层（12）、活性层（13）及第二型半导体层（14），发光结构各层的侧沿处设有透光面（20），各层侧沿处的透光面自下而上地首尾相连形成台阶结构。

所述发光结构设于可反射光的基板（11）上。

所述发光结构设于基板的反光面上；所述透光面包括一个以上的斜面；各层侧沿处的透光面自下而上首尾相连形成连续的台阶结构（15）。

所述第一型半导体层为n型半导体层；所述第二型半导体层为p型半导体层；所述活性层位于第一型半导体层和第二型半导体层之间。

第一型半导体层（12）、活性层（13）及第二型半导体层（14）以3族氮化物半导体材料成型。

所述第一型半导体层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述第一型半导体层的n型掺杂物质包括Si、Ge或Sn；

所述第二型半导体层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述第二型半导体层的p型掺杂物质包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba；

所述活性层的半导体材料的分子式为InxAlyGa1-x-yN 式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；所述活性层的半导体材料可以以单一量子阱结构或多重量子阱结构形成。

所述第一型半导体层（12）上配置有第一型电极，在第二型半导体层（14）上配置有第二型电极；第二型半导体层与第二型电极之间设有透明的电极层。