[发明专利]双轨预充电逻辑单元及其预充电方法有效
申请号: | 201910427488.9 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110119640B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 张海峰;甘杰;谭浪;原义栋;胡晓波;赵毅强;金锐;于艳艳;蔡里昂 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
主分类号: | G06F21/75 | 分类号: | G06F21/75 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 贾慧娜;王芊雨 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双轨 充电 逻辑 单元 及其 方法 | ||
1.一种双轨预充电逻辑单元,其特征在于,包括:单轨LBDL逻辑与门和单轨LBDL逻辑与非门,
所述单轨LBDL逻辑与门包括:
第一NMOS晶体管,其源极接电源端;
第二NMOS晶体管,其源极接电源端;
第三NMOS晶体管,其源极接电源端;
第四NMOS晶体管,其源极接地端;
第一PMOS晶体管;
第五NMOS晶体管,所述第五NMOS晶体管的源极、所述第一NMOS晶体管的漏极、所述第二NMOS晶体管的漏极、所述第一PMOS晶体管的漏极公共连接;
第二PMOS晶体管;
第六NMOS晶体管,所述第六NMOS晶体管的源极、所述第三NMOS晶体管的漏极、所述第四NMOS晶体管的漏极以及所述第二PMOS晶体管的漏极公共连接;
第三PMOS晶体管;
第四PMOS晶体管,其漏极与所述第三PMOS晶体管的源极相连,所述第四PMOS晶体管的源极接电源端;
第五PMOS晶体管;
第六PMOS晶体管,其漏极与所述第五PMOS晶体管的源极相连,所述第六PMOS晶体管的源极接电源端;以及
第一反相器,所述第一反相器的输入端、所述第一PMOS晶体管的源极、所述第二PMOS晶体管的源极、所述第三PMOS晶体管的漏极、所述第五PMOS晶体管的漏极、所述第五NMOS晶体管的漏极以及所述第六NMOS晶体管的漏极公共连接,
所述单轨LBDL逻辑与非门包括:
第七NMOS晶体管,其源极接地端;
第八NMOS晶体管,其源极接地端;
第九NMOS晶体管,其源极接地端;
第十NMOS晶体管,其源极接电源端;
第七PMOS晶体管;
第十一NMOS晶体管,所述第十一NMOS晶体管的源极、所述第七NMOS晶体管的漏极、所述第八NMOS晶体管的漏极、所述第七PMOS晶体管的漏极公共连接;
第八PMOS晶体管;
第十二NMOS晶体管,所述第十二NMOS晶体管的源极、所述第九NMOS晶体管的漏极、所述第十NMOS晶体管的漏极以及所述第八PMOS晶体管的漏极公共连接;
第九PMOS晶体管;
第十PMOS晶体管,其漏极与所述第九PMOS晶体管的源极相连,所述第十PMOS晶体管的源极接电源端;
第十一PMOS晶体管;
第十二PMOS晶体管,其漏极与所述第十一PMOS晶体管的源极相连,所述第十二PMOS晶体管的源极接电源端;以及
第二反相器,所述第二反相器的输入端、所述第七PMOS晶体管的源极、所述第八PMOS晶体管的源极、所述第九PMOS晶体管的漏极、所述第十一PMOS晶体管的漏极、所述第十一NMOS晶体管的漏极以及所述第十二NMOS晶体管的漏极公共连接,
其中,所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第六NMOS晶体管的栅极、所述第七PMOS晶体管栅极以及所述第十二NMOS晶体管的栅极均接第一输入信号;所述第五NMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的栅极、所述第十一NMOS晶体管的栅极以及所述第八PMOS晶体管的栅极均接第二输入信号;所述第二NMOS晶体管的栅极、所述第四NMOS晶体管的栅极、所述第三PMOS晶体管的栅极、所述第六PMOS晶体管的栅极、所述第八NMOS晶体管的栅极、所述第十NMOS晶体管的栅极、所述第九PMOS晶体管的栅极以及所述第十二PMOS的栅极均接第三输入信号;所述第一NMOS晶体管的栅极、所述第三NMOS晶体管的栅极、所述第四PMOS晶体管的栅极、所述第五PMOS晶体管的栅极、所述第七NMOS晶体管的栅极、所述第九NMOS晶体管的栅极、所述第十PMOS晶体管的栅极以及所述第十一PMOS晶体管的栅极均接第四输入信号;所述第一反相器输出第一输出信号,所述第二反相器输出第二输出信号。
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