[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

鳍型有源区，在衬底上沿着平行于所述衬底的顶表面的第一方向延伸；

栅极结构，在所述鳍型有源区上延伸并且沿着平行于所述衬底的所述顶表面且不同于所述第一方向的第二方向延伸；以及

源极/漏极区，在从所述栅极结构的一侧延伸到所述鳍型有源区中的凹入区域中，所述源极/漏极区包括：

上半导体层，在所述凹入区域的内壁上，具有第一杂质浓度，所述上半导体层包括间隙；以及

间隙填充半导体层，在所述间隙中，具有大于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隙在所述上半导体层的中心部分内沿着垂直于所述衬底的所述顶表面的第三方向延伸，以及

所述间隙填充半导体层在所述间隙内部沿着所述第三方向延伸。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隙填充半导体层的侧壁被所述上半导体层围绕。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隙填充半导体层的顶表面和底表面被所述上半导体层覆盖。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隙填充半导体层在所述第一方向上具有第一宽度，并且在垂直于所述衬底的所述顶表面的第三方向上具有第一高度，其中所述第一高度与所述第一宽度的比率在2与10之间。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隙填充半导体层的底表面在比所述上半导体层的底表面高的高度处。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述上半导体层包括第一杂质浓度的第一杂质，所述第一杂质浓度在从1E20原子/cm³至1E22原子/cm³的范围内，以及

所述间隙填充半导体层包括第二杂质浓度的所述第一杂质，所述第二杂质浓度为所述第一杂质浓度的110％至150％。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述凹入区域包括在所述第一方向上彼此分离的第一侧壁和第二侧壁，

所述间隙填充半导体层包括面对所述凹入区域的所述第一侧壁的第一侧壁和面对所述凹入区域的所述第二侧壁的第二侧壁，以及

在所述第一方向上从所述凹入区域的所述第一侧壁到所述间隙填充半导体层的所述第一侧壁的第一距离基本上等于在所述第一方向上从所述凹入区域的所述第二侧壁到所述间隙填充半导体层的所述第二侧壁的第二距离。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区还包括在所述凹入区域的所述内壁上在所述上半导体层与所述鳍型有源区之间的下半导体层，以及

所述下半导体层具有小于所述第一杂质浓度的第三杂质浓度。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区还包括在所述上半导体层的顶表面上并且具有小于所述第一杂质浓度的第四杂质浓度的覆盖半导体层。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述凹入区域包括在所述第一方向上彼此分离的第一侧壁和第二侧壁以及连接到所述第一侧壁和所述第二侧壁的底部分，以及

所述源极/漏极区还包括：

下半导体层，在所述凹入区域的所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述底部分上；以及

中间半导体层，在所述凹入区域的所述底部分上在所述上半导体层与所述下半导体层之间并且具有小于所述第一杂质浓度的第五杂质浓度。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述上半导体层的上侧壁接触所述下半导体层，所述上半导体层的下侧壁和底部分接触所述中间半导体层。