[发明专利]具有多个导电接合层元件的半导体发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910428116.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110534636A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 新野和久 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟;李辉<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线图案层 第二电极 第一电极 接合层 导电 半导体发光元件 半导体发光装置 基板 元件设置 电连接 制造 | ||
1.一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：
半导体发光元件，该半导体发光元件具有第一电极和第二电极；
基板，该基板具有分别电连接到所述第一电极和所述第二电极的第一布线图案层和第二布线图案层；以及
多个导电接合层元件，该多个导电接合层元件设置在所述第一电极与所述第一布线图案层之间和/或所述第二电极与所述第二布线图案层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括导电接合层元件疏远层，该导电接合层元件疏远层缺乏亲和性而排斥所述导电接合层元件，并且与所述多个导电接合层元件的端部相邻。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述多个导电接合层元件一维或二维地设置。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一电极被定义为多个第一电极，
所述第一电极和第二电极从顶部看为矩形，并且所述第一电极和所述第二电极各具有短边和长度为所述短边的两倍以上的长边。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述导电接合层元件包括AuSn共晶接合层元件、Ag颗粒烧结元件或Au颗粒烧结元件。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一电极包括p侧电极，并且其中，所述第二电极包括n侧电极。
7.一种用于制造半导体发光装置的方法，该方法包括以下步骤：
制备半导体发光元件，该半导体发光元件具有第一电极和第二电极；
制备基板，该基板具有分别电连接到所述第一电极和所述第二电极的第一布线图案层和第二布线图案层；
在所述第一电极和所述第一布线图案层中的一方上和/或在所述第二电极与所述第二布线图案层之间形成多个导电接合层元件；以及
进行热压处理，将所述第一电极接合到所述第一布线图案层，并且将所述第二电极接合到所述第二布线图案层。
8.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光装置的方法，所述方法还包括以下步骤：形成导电接合层元件疏远层，该导电接合层元件疏远层缺乏亲和性而排斥所述多个导电接合层元件，并且与所述多个导电接合层元件的端部相邻。
9.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光装置的方法，其中，所述多个导电接合层元件一维或二维地设置。
10.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光装置的方法，其中，所述第一电极被定义为多个第一电极，
所述第一电极和第二电极从顶部看为矩形，并且所述第一电极和所述第二电极各具有短边和长度为所述短边的两倍以上的长边。
11.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光装置的方法，其中，所述导电接合层元件包括AuSn共晶接合层元件、Ag颗粒烧结元件或Au颗粒烧结元件。
12.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光装置的方法，其中，所述第一电极包括p侧电极，并且其中，所述第二电极包括n侧电极。
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