[发明专利]具有多个导电接合层元件的半导体发光装置及其制造方法

说明书

具有多个导电接合层元件的半导体发光装置及其制造方法。一种半导体发光装置包括：半导体发光元件，该半导体发光元件具有第一电极和第二电极；基板，该基板具有分别电连接到该第一电极和该第二电极的第一布线图案层和第二布线图案层；以及多个导电接合层元件，该多个导电接合层元件设置在该第一电极与该第一布线图案层之间和/或该第二电极与该第二布线图案层之间。

技术领域

本所公开的主题涉及具有安装在基板上的半导体发光元件的半导体发光装置及其制造方法。

背景技术

通常，在半导体发光装置中，发光二极管(LED)元件由高散热AuSn共晶接合层接合到安装基板。

现在将参照图1A、图1B、图2A、图2B、图3A以及图3B说明用于制造半导体发光装置的现有技术方法。

首先，参照图1A和为沿着图1A中的线B-B截取的剖面图的图1B，LED元件1具有：细长p侧电极11-1、11-2...11-6，这些p侧电极电连接到p型半导体区域(未示出)；和细长n侧电极12，该n侧电极电连接到n型半导体区域(未示出)。在这种情况下，从顶部看的电极11-1、11-2...11-6以及12各具有矩形形状，该矩形形状具有短边和长度为短边的两倍以上的长边。由此，可以降低热阻，并且可以抑制前向电压的波动。而且，因为p侧电极11-1、11-2...11-6广泛地散布在LED元件1的底部上，所以来自p侧电极11-1、11-2...11-6的电流可以传播穿过LED元件1内的整个有源区域(未示出)，到达n侧电极12，这可以提高发光效率并使得发光分布均匀。注意，包括最上Au层的接合层(未示出)通过电镀处理或溅射处理形成在p侧电极11-1、11-2...11-6和n侧电极12上。

另一方面，参照图2A和为沿着图2A中的线B-B截取的剖面图的图2B，由AlN制成的安装基板2具有p侧布线图案层21和n侧布线图案层22。p侧布线图案层21具有分别与LED元件1的p侧电极11-1、11-2...11-6对应的AuSn层31-1、31-2...31-6，并且n侧布线图案层22具有与LED元件1的n侧电极12对应的AuSn层32。注意，包括最上Au层的接合层(未示出)形成在p侧布线图案层21和n侧布线图案层22上，并且在上面形成焊盘(未示出)。

最后，参照图3A和为沿着图3A中的线B-B截取的剖面图的图3B，图1A和图1B的LED元件1在热压处理中面朝下在图2A和图2B的安装基板2上，使得安装基板2的AuSn层31-1、31-2...31-6以及32的最上Au层与LED元件1的p侧电极11-1、11-2...11-6和n侧电极12共晶，以形成AuSn共晶接合层31’-1、31’-2...31’-6以及32’。因此，LED元件1的p侧电极11-1、11-2...11-6电连接到安装基板2的p侧布线图案层21，并且LED元件1的n侧电极12电连接到安装基板2的n侧布线图案层22。由此，LED元件1由AuSn共晶接合层31’-1、31’-2...31’-6以及32’接合到安装基板2，这完成半导体发光装置3。

然而，在图3A和图3B的半导体发光装置3中，AuSn共晶接合层31’-1、31’-2...31’-6以及32’具有以下接合缺陷。

图2A和图2B的AuSn层31-1、31-2...31-6以及32通常通过剥离处理形成。即，如图4A例示，用于形成AuSn层31-1、31-2...31-6以及32的光刻胶图案30-1通过光刻处理形成在安装基板2(p侧布线图案层21)上，然后，由溅射处理或蒸发处理在整个表面上沉积AuSn层30-2。然后，如图4B例示，去除光刻胶图案层30-1，以形成AuSn层31-1、31-2...31-6以及32。然而，在这种情况下，在去除光刻胶图案层30-1以使AuSn层30-2断裂时，将在AuSn层31-1、31-2...31-6以及32的边缘上产生毛刺BR。