[发明专利]用于工艺中充电控制的植入衬底接触部

权利要求书

1.一种衬底接触二极管，包括：

衬底中的第一类型衬底植入物抽头；

在所述衬底上形成的外延层中的第二类型外延植入物；

所述第二类型外延植入物上方的第一类型外延区；以及

接触电极，所述接触电极从所述第一类型外延区的顶部向上延伸到包围所述接触电极的层间电介质的表面。

2.如权利要求1所述的衬底接触二极管，还包括包围所述第一类型衬底植入物抽头的p-阱植入物。

3.如权利要求1所述的衬底接触二极管，其中所述衬底植入物抽头是n+型植入物。

4.如权利要求1所述的的衬底接触二极管，其中所述第二类型外延植入物是n-型植入物。

5.如权利要求1所述的衬底接触二极管，其中所述第一类型外延区是n+型区。

6.如权利要求1所述的衬底接触二极管，其中所述接触电极的宽度比所述第一类型外延区要窄。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的衬底接触二极管，其中功能电路系统按照到所述衬底接触部的预定近程来形成在所述衬底上。

8.一种半导体结构，包括：

半导体装置，包括：

半导体材料；

绝缘体材料；以及

金属材料，

衬底接触二极管，所述衬底接触二极管耦合到所述半导体装置，所述衬底接触二极管包括：

衬底中的第一类型衬底植入物抽头；

在所述衬底上形成的外延层中的第二类型外延植入物；

所述第二类型外延植入物上方的第一类型外延区；以及

接触电极，所述接触电极从所述第一类型外延区的顶部向上延伸到包围所述接触电极的层间电介质的表面。

9.如权利要求8所述的半导体结构，还包括包围所述第一类型衬底植入物抽头的p-阱植入物。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述衬底植入物抽头是n+型植入物。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述第一类型外延区是n+型区。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述第二类型外延植入物是n-型植入物。

13.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述接触电极的宽度比所述第一类型外延区要窄。

14.如权利要求8、9、10、11、12或13所述的半导体结构，其中所述衬底接触部按照到所述半导体装置的预定近程来形成在所述衬底上。

15.一种方法，包括：

在衬底中形成第一类型衬底植入物抽头；

在所述衬底上形成的外延层中形成第二类型外延植入物；

在所述第二类型外延植入物上方形成第一类型外延区；以及

形成接触电极，所述接触电极从所述第一类型外延区的顶部向上延伸到包围所述接触电极的层间电介质的表面。

16.如权利要求15所述的方法，还包括包围所述第一类型衬底植入物抽头的p-阱植入物。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述衬底植入物抽头是n+型植入物。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述第二类型外延植入物是n-型植入物。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述第一类型外延区是n+型区。

20.如权利要求15、16、17、18或19所述的方法，其中所述接触电极的宽度比所述第一类型外延区要窄。